ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | D4h |
| 寫入事務： | 寫入字 |
| 讀取事務： | 讀取字 |
| 格式： | 無符號二進制（2 字節(jié)） |
| NVM 備份： | EEPROM |
| 更新： | 動態(tài) |
此命令包含穩(wěn)壓軌的反饋補償設置。
對 MSEL2 進行編程中的 GAIN 1 和 RAMP 1 選項使用該命令的 Ramp 和 Gain 值，因此，即使(D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE中的勻變或增益位設置為選擇引腳編程值，對存儲到 NVM 的 COMP 更改值也會更改 GAIN1和 RAMP1 的引腳編程值
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| R/W | R/W | R/W | R/W | R | R | R | R |
| 增益 | 0 | ||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| R/W | R | R/W | R/W | R/W | R | R/W | R/W |
| FRC_IN_TIME | 0 | INT_TIME | 0 | SEL_RAMP | |||
| 說明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪問 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:12 | 增益 | R/W | NVM | 這些位決定交流增益設置。 0000b：增益為 3V/V 0001b：增益為 5V/V 0010b：增益為 10V/V 0011b：增益為 15V/V 0100b：增益為 20V/V 0101b：增益為 25V/V 0110b：增益為 30V/V 0111b：增益為 35V/V 1000b：增益為 40V/V 1001b：增益為 50V/V 1010b：增益為 60V/V 1011b：增益為 70V/V |
| 11:8 | 0 | R | 0000b | 不受支持且始終為 0。 |
| 7 | FRC_INT_TIME | R/W | NVM | 根據(jù) NVM 設置強制積分器時間常數(shù)。 0b：使此寄存器中的 INT_TIME[2:0] 位為只讀，并根據(jù) (33h) FREQUENCY_SWITCH 寄存器中的現(xiàn)有實時數(shù)據(jù)進行填充，如以下查詢表 INT_TIME 所指定：
1b：使該寄存器中的 INT_TIME [2:0] 位可寫并從相關(guān)的 NVM 備份進行初始化 |
| 6 | 0 | R | 0b | 不受支持且始終為 0。 |
| 5:3 | INT_TIME | R/W | NVM | 積分器時間常數(shù)設置。 000b = 0.25μs 001b = 1μs 010b = 3μs 011b = 4.5μs 100b = 6.25μs 101b = 8μs 110b = 10μs 111b = 20μs |
| 2 | 0 | R | 0b | 不受支持且始終為 0。 |
| 1:0 | SEL_RAMP | R/W | NVM | 斜坡幅度/斜率設置。這些位決定斜坡幅度/斜率。 00b = 60mV 01b = 120mV 10b = 180mV 11b = 240mV |
數(shù)據(jù)有效性
嘗試向 COMP 中的只讀位進行寫入將被忽略。