ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | 25h |
| 寫入事務(wù)： | 寫入字 |
| 讀取事務(wù)： | 讀取字 |
| 格式： | ULINEAR16，是否相對根據(jù) VOUT_MODE 而定 |
| 相控： | 否 |
| NVM 備份： | EEPROM |
| 更新： | 動態(tài) |
VOUT_MARGIN_HIGH 命令在 OPERATION 命令設(shè)置為“高裕度”時將輸出要更改到的電壓加載到單元中。由于在 (20h) VOUT_MODE 寄存器的位 [7] 中將 Vout 格式設(shè)置為相對，因此命令中的 Vout 將增加此命令中所示的乘法系數(shù)。此命令還使用由 (20h) VOUT_MODE 指定的 LSB。裕度運算期間的輸出電壓轉(zhuǎn)換以 VOUT_TRANSITION_RATE 定義的壓擺率發(fā)生。
當(dāng) OPERATION 命令中的 MARGIN 位指示“高裕度”時，輸出電壓將更新為 VOUT_MARGIN_HIGH + VOUT_TRIM 的值。
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| R | W | W | W | W | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_HIGH（高字節(jié)） | |||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_HIGH（低字節(jié)） | |||||||
| 說明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪問 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:11 | 保留 | R | 0b | |
| 10:0 | VOUT_MARGIN_HIGH | RW | NVM | 高裕度輸出電壓。ULINEAR16，是否相對根據(jù) VOUT_MODE 的設(shè)置而定 |
為了優(yōu)化此命令所需的 EEPROM 位的數(shù)量，上面寄存器中的位沒有直接備份，而是與名為 MRGN_HI_DFLT 的 NVM 備份位相關(guān)，在 EEPROM 恢復(fù)期間按如下方式使用：
| MARGIN_HI_DFLT | VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % |
|---|---|---|
| 0b | 528d | 3.125 |
| 1b | 536d | 4.6875 |
此命令的效果由 VOUT_MODE 命令的設(shè)置決定。下表還顯示了如何確定 NVM 存儲的 MRGN_HI_DFLT。
| VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % | MRGN_HI_DFLT | |
|---|---|---|---|
| 大于或等于（十進(jìn)制） | 小于（十進(jìn)制） | ||
| 524 | 1.5625 | 0 | |
| 524 | 532 | 3.125 | |
| 532 | 540 | 4.6875 | 1 |
| 540 | 548 | 6.25 | |
| 548 | 556 | 7.8125 | |
| 556 | 564 | 9.375 | |
| 564 | 572 | 10.9375 | |
| 572 | 2048 | 12.5 | |
VOUT_MARGIN_HIGH 的最小和最大有效數(shù)據(jù)值遵循 VOUT_COMMAND 中的說明。也就是說，包括 VOUT_MARGIN_HIGH 和 VOUT_TRIM 在內(nèi)的總組合輸出電壓遵循當(dāng)前 VOUT_MAX 設(shè)置所允許的值。
嘗試向 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH 寫入指定為有效值之外的任何值將被視為無效/不受支持的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)致器件通過標(biāo)記相應(yīng)的狀態(tài)位并根據(jù) PMBus 1.3.1 第 II 部分規(guī)范第 10.9.3 節(jié)通知主機(jī)來進(jìn)行響應(yīng)。