ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | 49h |
| 寫(xiě)入事務(wù)： | 不適用 |
| 讀取事務(wù)： | 讀取字節(jié) |
| 格式： | 無(wú)符號(hào)二進(jìn)制（2 字節(jié)） |
| NVM 備份： | 否 |
| 更新： | 動(dòng)態(tài) |
IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE 寄存器定義了器件在限流條件下運(yùn)行時(shí)對(duì) UV 故障聲明的響應(yīng)。檢測(cè)到故障后，器件會(huì)：
返回到支持的 PMBus 命令。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| R | R | R | R | R | R | R | R |
| 0 | IGNRZ_OC_LV | RS_OC_LV | TD__OC_LV | ||||
| 說(shuō)明：R/W = 讀取/寫(xiě)入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪問(wèn) | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 0 | R | 0b | 未使用，始終設(shè)置為 0。 |
| 6 | IGNRZ_OC_LV | R | 1b | OC 期間的輸出過(guò)壓響應(yīng)設(shè)置。這些位直接從 VOUT_UV_FAULT_RESPONSE 復(fù)制，在該寄存器中具有只讀訪問(wèn)權(quán)限。 0b：器件不間斷地繼續(xù)運(yùn)行（即忽略故障）（請(qǐng)注意，位[6] IGNRZ_UV 低電平有效，當(dāng) IGNRZ_OV=0 時(shí)，故障被忽略）。 1b：器件在 TD_OC_LV 指定的延遲時(shí)間內(nèi)繼續(xù)運(yùn)行。如果在延遲時(shí)間結(jié)束時(shí)故障條件仍然存在，則單元會(huì)按照重試設(shè)置中的編程方式進(jìn)行響應(yīng)。 |
| 5:3 | RS_OC_LV | R | NVM | 輸出電壓欠壓重試設(shè)置。這些位直接從 VOUT_UV_FAULT_RESPONSE 復(fù)制，在該寄存器中具有只讀訪問(wèn)權(quán)限。 000b：故障后鎖存。器件保持禁用狀態(tài)，直到故障清除為止。VCC 下電上電或 EN 切換可以重新啟動(dòng)電源轉(zhuǎn)換。 111b：在 52ms 延遲后自動(dòng)重啟，不限制重啟嘗試次數(shù)，直到命令其關(guān)閉或移除輔助電源，或其他故障條件導(dǎo)致單元關(guān)閉。 將不接受 000b 或 111b 以外的任何值，此類嘗試應(yīng)視為無(wú)效數(shù)據(jù)或不受支持的數(shù)據(jù) (ivd)，器件將按照 ivd 中所述進(jìn)行響應(yīng)。由于所有 3 位必須相同，EEPROM 中只存儲(chǔ)一位（位 5）。 |
| 2:0 | TD_OC_LV | R | 000b | 輸出欠壓重試響應(yīng)延時(shí)時(shí)間設(shè)置。這些位直接從 VOUT_UV_FAULT_RESPONSE 復(fù)制，在該寄存器中具有只讀訪問(wèn)權(quán)限。 斷續(xù)時(shí)間始終為 52ms，但可以通過(guò)在位 [1:0] 中進(jìn)行以下設(shè)置來(lái)延遲響應(yīng)時(shí)間。如果在延遲計(jì)數(shù)器到期之前故障條件消失，則延遲計(jì)數(shù)器復(fù)位為 0 并且不會(huì)禁用輸出。位 2 是只讀的，始終為 0。 000b：2us 001b：16us 010b：64us 011b：256us |