ZHCSVM4F June 1999 – January 2025 TPS769
PRODUCTION DATA
盡管不需要輸入電容器來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性，但良好的模擬設(shè)計(jì)實(shí)踐是將電容器從 IN 連接到 GND。該電容可抵消電抗性輸入源，并改善瞬態(tài)響應(yīng)、輸入紋波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω，請(qǐng)使用輸入電容器。如果預(yù)計(jì)會(huì)有較大且快速的上升時(shí)間負(fù)載或線路瞬變，請(qǐng)使用更高容值的電容。此外，如果器件距離輸入電源幾英寸，請(qǐng)使用容值更高的電容器。
與大多數(shù)低壓降穩(wěn)壓器一樣，TPS769 需要在 OUT 和 GND 之間連接一個(gè)輸出電容器，以穩(wěn)定內(nèi)部控制環(huán)路。
對(duì)于舊芯片，該器件需要在 OUT 和 GND 之間連接一個(gè)輸出電容器，以穩(wěn)定內(nèi)部控制環(huán)路。建議的最小電容為 4.7μF。確保電容器的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 介于 0.2Ω 和 10Ω 之間，以提供穩(wěn)定性。大于 4.7μF 的電容值是可接受的，并且允許使用更小的 ESR 值。不建議使用小于 4.7μF 的電容，因?yàn)檫@些元件需要仔細(xì)選擇 ESR 來提供穩(wěn)定性。固態(tài)鉭電解電容器、鋁電解電容器和多層陶瓷電容器都適用，前提是這些電容器滿足所述的要求。市售 4.7μF 表面貼裝固態(tài)鉭電容器（包括 Sprague、Kemet 和 Nichico 的器件）大多符合上述 ESR 要求。多層陶瓷電容器可能具有非常小的等效串聯(lián)電阻，因此需要添加一個(gè)低值串聯(lián)電阻器來提供穩(wěn)定性。
對(duì)于新芯片，該器件被設(shè)計(jì)為在輸入和輸出端使用低 ESR 陶瓷電容器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性。最小建議電容值為 2.2μF，ESR 范圍高達(dá) 2Ω。支持的 ESR 范圍取決于輸出電容、工作結(jié)溫和負(fù)載電流條件。典型特性：支持的 ESR 范圍 介紹了在支持的負(fù)載電流范圍內(nèi)、與整個(gè)溫度范圍內(nèi)的輸出電容相關(guān)的支持的 ESR 范圍。
通過使用輸出電容器來提升器件的動(dòng)態(tài)性能。為確保穩(wěn)定性，請(qǐng)使用建議運(yùn)行條件 表中指定范圍內(nèi)的輸出電容器。