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ZHCSVM4F June 1999 – January 2025

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DBV|5
- MPDS018T

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.6 電氣特性

規(guī)定 T_J = –40°C 至 125°C、V_IN= V_OUT(nom)+ 1.0V 或 V_IN = 2.5V（以較大者為準(zhǔn)）、I_OUT = 10μA、EN = 0V、C_IN = 1.0μF、C_OUT= 4.7μF（除非另有說明）；典型值在 T_J = 25oC 條件下測得

參數(shù)			測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
V_OUT	輸出電壓	可調(diào)節(jié)，舊芯片	1.2V ≤ V_OUT ≤ 5.5V，10μA ≤ I_OUT ≤ 100mA，T_J = 25°C		V_OUT		V
		可調(diào)節(jié)，舊芯片	1.2V ≤ V_OUT ≤ 5.5V，10μA ≤ I_OUT ≤ 100mA	0.97 × V_OUT		1.03 × V_OUT
		固定，舊芯片	10μA ≤ I_OUT ≤ 100mA，T_J = 25°C，V_OUT(nom) + 1V < V_IN < 10V		V_OUT
		固定，舊芯片	10μA ≤ I_OUT ≤ 100mA，V_OUT(nom) + 1V < V_IN < 10V	0.97 × V_OUT		1.03 × V_OUT
		新芯片	10μA ≤ I_OUT ≤ 100mA，V_OUT(nom) + 1V < V_IN < 16V	0.988 × V_OUT		1.012 × V_OUT
V_FB	反饋電壓	舊芯片			1.224		V
V_FB	反饋電壓	新芯片			1.2		V
I_Q	靜態(tài)電流（GND 電流）	舊芯片	EN = 0V，0mA < I_OUT < 100mA，T_J = +25°C		17		μA
		舊芯片	EN = 0V，I_OUT = 100mA			28
		新芯片	EN = 0V，I_OUT = 0mA（可調(diào)節(jié)）		50	80
			EN = 0V，I_OUT = 0mA（固定）		55	95
			EN = 0V，I_OUT = 100mA		620
ΔV_OUT(ΔVOUT)	輸出電壓線性調(diào)整率 (ΔV_OUT/V_OUT)	舊芯片	V_OUT(NOM)+1.0V ≤ V_IN≤ 10V，I_OUT= 100mA，T_J = 25℃		0.04	0.07	%/V
		舊芯片	V_OUT(NOM)+1.0V ≤ V_IN≤ 10V，I_OUT= 100mA，T_J = 25℃			0.1
		新芯片	V_OUT(NOM)+1.0V ≤ V_IN≤ 16V，I_OUT= 10μA			0.032
ΔV_OUT(ΔIOUT)	輸出電壓負(fù)載調(diào)整率	舊芯片	0mA ≤ I_OUT≤ 100mA，T_J = 25°C		12		mV
ΔV_OUT(ΔIOUT)	輸出電壓負(fù)載調(diào)整率	新芯片	0mA ≤ I_OUT≤ 100mA，T_J = 25°C		20		mV
V_n	輸出噪聲電壓	舊芯片	BW = 300Hz 至 50kHz，C_OUT = 10μF，T_J = 25℃		190		μV_RMS
		新芯片	BW = 300Hz 至 50kHz，I_OUT = 100mA，C_OUT = 4.7μF		165
		新芯片	BW = 10Hz 至 100kHz，I_OUT = 100mA，C_OUT = 4.7μF		195
T_SD(shutdown)	熱關(guān)斷溫度	新芯片	溫度升高		173		oC
T_SD(reset)	熱關(guān)斷復(fù)位溫度	新芯片	溫度下降		157		oC
I_CL	輸出電流限制	舊芯片	V_OUT = 0V		350	750	mA
I_CL	輸出電流限制	新芯片	V_OUT = 0V		370	450	mA
I_STANDBY	待機(jī)電流	舊芯片	EN = V_IN，2.7V < V_IN < 10V		1		μA
		舊芯片	EN = V_IN，2.7V < V_IN < 10V			2
		新芯片	EN = V_IN，2.5V < V_IN < 16V		0.9
		新芯片	EN = V_IN，2.5V < V_IN < 16V			2.75
I_FB	反饋引腳電流	舊芯片	V_FB = 1.224V	-1		1	μA
I_FB	反饋引腳電流	新芯片	V_FB = 1.2V	-0.1		0.1	μA
EN	高電平使能輸入電壓	舊芯片	2.7V ≤ V_IN ≤ 10V	1.7			V
	低電平使能輸入電壓	舊芯片	2.7V ≤ V_IN ≤ 10V			0.9
	高電平使能輸入電壓	新芯片	2.5V ≤ V_IN ≤ 16V	1.6
	低電平使能輸入電壓	新芯片	2.5V ≤ V_IN ≤ 16V			0.415
PSRR	電源紋波抑制	舊芯片	I_OUT= 100mA，f = 1kHz，C_OUT = 10μF，T_J = 25 ℃		60		dB
PSRR	電源紋波抑制	新芯片	I_OUT= 100mA，f = 1kHz，C_OUT = 4.7μF，T_J = 25 ℃		58		dB
I_EN	輸入電流 (EN)	舊芯片	EN = 0V	-1	0	1	μA
		舊芯片	EN = V_IN	-1		1
		新芯片	EN = 0V	-0.75	-0.4	0.02
		新芯片	EN = 6V	-0.01		0.01
V_DO	壓降電壓	TPS76928（舊芯片）	I_OUT= 50mA		60		mV
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			125
			I_OUT= 100mA		122
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			245
		TPS76928（新芯片）	I_OUT= 50mA		120
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			184
			I_OUT= 100mA		150
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			218
		TPS76930（舊芯片）	I_OUT= 50mA		57
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			115
			I_OUT= 100mA		115
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			230
		TPS76930（新芯片）	I_OUT= 50mA		120
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			184
			I_OUT= 100mA		150
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			218
		TPS76933（舊芯片）	I_OUT= 50mA		48
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			100
			I_OUT= 100mA		98
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			200
		TPS76933（新芯片）	I_OUT= 50mA		120
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			184
			I_OUT= 100mA		150
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			218
		TPS76950（舊芯片）	I_OUT= 50mA		35
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			85
			I_OUT= 100mA		71
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			170
		TPS76950（新芯片）	I_OUT= 50mA		120
			I_OUT= 50mA，T_J = –40℃ 至 125℃			184
			I_OUT= 100mA		150
			I_OUT= 100mA，T_J = –40℃ 至 125℃			218
V_UVLO+	上升輔助電源 UVLO	TPS769（新芯片）	V_IN 上升，–40℃ ≤ T_J ≤ 125℃		2.2	2.4	V
V_UVLO–	下降輔助電源 UVLO		V_IN 下降，–40℃ ≤ T_J ≤ 125℃	1.9	2.07
V_UVLO(HYST)	UVLO 遲滯		–40°C ≤ T_J ≤ 125°C		0.130