通過盡量減少關(guān)鍵開關(guān)環(huán)路和在關(guān)鍵開關(guān)環(huán)路下添加接地平面，可提高 EMI 性能。如果測(cè)試結(jié)果仍然超出限值，則應(yīng)考慮采用其他解決方案，例如降低開關(guān)速度、在電源電路上增加金屬屏蔽層。但是，降低開關(guān)速度會(huì)犧牲效率，而增加金屬屏蔽層會(huì)增加成本并使系統(tǒng)組裝更加復(fù)雜。

對(duì)稱放置去耦電容器既能做到進(jìn)一步提高 EMI 性能，又不會(huì)犧牲效率或增加成本。圖 2-6 和圖 2-7 所示為這種對(duì)稱放置概念的原理圖和相關(guān) PCB 布局。

圖 2-7 所示為對(duì)稱放置和不對(duì)稱放置元件的輻射 EMI 結(jié)果。對(duì)稱放置有助于將 200MHz - 600MHz 高頻范圍內(nèi)的輻射 EMI 降低 6dBuV/m 以上。