開關(guān)環(huán)路可建模為 LC 電路，由輸入或輸出側(cè)去耦電容器以及高側(cè)和低側(cè) MOSFET 構(gòu)成。對(duì)于降壓橋臂開關(guān)節(jié)點(diǎn) SW1，當(dāng)高側(cè) FET 接通而低側(cè) FET 關(guān)斷時(shí)，會(huì)發(fā)生振鈴。對(duì)于升壓橋臂開關(guān)節(jié)點(diǎn) SW2，當(dāng)?shù)蛡?cè) FET 關(guān)斷而高側(cè) FET 接通時(shí)，會(huì)發(fā)生振鈴。圖 2-10 所示為開關(guān)環(huán)路在此過渡狀態(tài)期間的等效模型。

等效模型中的電感（L_loop1 和 L_loop2）對(duì)應(yīng)于開關(guān)環(huán)路的總環(huán)路電感，其中包括 PCB 布線電感、去耦電容器的 ESL 和 MOSFET 的封裝電感。環(huán)路的總電容由低側(cè) MOSFET 的輸出電容決定。因此，開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴頻率由寄生環(huán)路電感和低側(cè) MOSFET 輸出電容決定。對(duì)于給定的開關(guān)速度和給定的 MOSFET，振鈴的最大幅度也由寄生環(huán)路電感決定。

從前一章中，我們已知曉通過緊湊的布局、在開關(guān)環(huán)路下添加接地平面或使用對(duì)稱 PCB 布局可降低寄生環(huán)路電感，但在實(shí)際應(yīng)用中，元件放置方式會(huì)受 PCB 尺寸的限制。

如果輻射 EMI 水平仍然超過要求的水平，并且布局不能再改進(jìn)，我們?cè)撛趺崔k？在開關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地端之間添加一個(gè) RC 緩沖器，有助于降低輻射 EMI 水平。RC 緩沖器應(yīng)盡可能靠近開關(guān)節(jié)點(diǎn)和接地平面。圖 2-11 所示為使用和不使用 RC 緩沖器情況下的輻射 EMI 的對(duì)比結(jié)果。使用 RC 緩沖器時(shí)，輻射 EMI 在 300MHz 下可降低約 6dBuV/m。