4 封裝和復(fù)合模應(yīng)力

在塑料封裝組裝中，用環(huán)氧樹脂將芯片固定在芯片墊上，引腳連接到引線框，如圖 4-1 中所示。然后，液態(tài)復(fù)合模材料填充封裝模來制成封裝。復(fù)合模從液態(tài)冷卻到固態(tài)，然后從底座上切下封裝好的設(shè)備。由于固化工藝，復(fù)合模會隨著時間推移而沉降，因此芯片上的總應(yīng)力也會隨著時間推移而變化，從而導(dǎo)致輸出電壓漂移。封裝復(fù)合物、組件以及任何可對芯片產(chǎn)生應(yīng)力的元件都會影響長期漂移。

相同芯片使用的封裝尺寸越大，觀察到的 LTD 就越小。與小型芯片相比，大型芯片封裝中的器件應(yīng)力變化率較小，因而 LTD 較小。在此示例中， VSSOP 中的 REF34 封裝更大，并且由于VSSOP對REF34芯片施加的應(yīng)力較小，因此其 LTD比SOT23-6 中的 REF34更好。

陶瓷封裝所用的材料和組裝工藝與塑料封裝不同。在陶瓷封裝的器件中，芯片密封在兩個陶瓷板之間。陶瓷板封裝無需固化，且填充材料對應(yīng)力的影響最小。因此，陶瓷（密封）封裝通常具有最佳的 LTD 性能。圖 4-4 顯示了LTD對 REF70 封裝的影響。