升壓轉(zhuǎn)換器的總損耗 (P_TOTAL) 可以表示為以下?lián)p耗之和：器件中的損耗 (P_IC，不包括功率 MOSFET 損耗)、MOSFET 功率損耗 (P_Q)、二極管功率損耗 (P_D)、電感器功率損耗 (P_L) 和檢測電阻中的損耗（P_RS，請參閱下面的說明）。(P_IC) 和 (P_Q) 之和是轉(zhuǎn)換器器件中的功率損耗，應(yīng)設(shè)計在合理范圍內(nèi)，防止 IC 溫升過大。

Equation25.

P_IC 可分為柵極驅(qū)動損耗 (P_G) 和靜態(tài)電流導(dǎo)致的損耗 (P_IQ)。

Equation26.

每種功率損耗的近似計算方法如下：

Equation27.

Equation28.

每種模式下的 I_BIAS 值可在 LM5157x 和 LM5158x 數(shù)據(jù)表中找到。

P_Q 可分為開關(guān)損耗 (P_Q(SW)) 和導(dǎo)通損耗 (P_Q(COND))。

Equation29.

每種功率損耗的近似計算方法如下：

Equation30.

t_R 和 t_F 是集成式功率 MOSFET 的上升和下降時間。I_SUPPLY 是升壓轉(zhuǎn)換器的輸入電源電流。

Equation31.

R_DS(ON) 是 LM5157x 和 LM5158x 數(shù)據(jù)表中給出的 MOSFET 導(dǎo)通電阻?？紤]自熱導(dǎo)致的 R_DS(ON) 增加。

P_D 可以分為二極管導(dǎo)通損耗 (P_VF) 和反向恢復(fù)損耗 (P_RR)。

Equation32.

每種功率損耗的近似計算方法如下：

Equation33.

Equation34.

Q_RR 是二極管的反向恢復(fù)電荷，會在二極管數(shù)據(jù)表中指定。二極管的反向恢復(fù)特性對效率有很大影響，在高負載電壓下尤其如此。

P_L 是 DCR 損耗 (P_DCR) 和交流磁芯損耗 (P_AC) 之和。DCR 是電感器數(shù)據(jù)表中提到的電感器直流電阻。

Equation35.

每種功率損耗的近似計算方法如下：

Equation36.

Equation37.

Equation38.

?I 是峰峰值電感器電流紋波。K、α 和 β 是磁芯相關(guān)因素、可由電感器制造商提供。

由于 LM5157x 和 LM5158x 中采用了電流檢測技術(shù)，因此檢測電阻和功率損耗 P_RS 可以忽略不計。

電源轉(zhuǎn)換器的效率可按照如下方式進行估計：

Equation39.