3 外殼篡改檢測(cè)

外殼篡改檢測(cè)

某些應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了其他應(yīng)用無法實(shí)現(xiàn)的安全外殼或殼體。示例應(yīng)用包括電表、燃?xì)獗?、電子銷售終端 (EPOS)、機(jī)頂盒 (STB)、ATM 和企業(yè)服務(wù)器。對(duì)于這些類型的應(yīng)用，通常必須檢測(cè)諸如打開外殼或殼體之類的入侵嘗試。

實(shí)現(xiàn)這種外殼篡改檢測(cè)特性的一種方法是，在外殼上放置一個(gè)圓柱體磁體，并將霍爾開關(guān)直接放置在該磁體下方，如圖 3-1 所示。當(dāng)外殼閉合時(shí)，霍爾位置傳感器檢測(cè)到磁通密度超出霍爾開關(guān)的 B_OP。當(dāng)外殼打開時(shí)，磁體將隨外殼一起移動(dòng)，從而遠(yuǎn)離霍爾傳感器。

隨著與磁體和傳感器距離的增加，檢測(cè)到的磁通密度會(huì)降低。最終，磁體到傳感器的距離將達(dá)到一個(gè)距離閾值，使檢測(cè)到的磁通密度降至低于磁通密度限值，這將觸發(fā)霍爾位置傳感器的輸出狀態(tài)發(fā)生變化，并向系統(tǒng)發(fā)出外殼打開的警報(bào)。對(duì)于此類檢測(cè)方案，磁通密度限值由霍爾開關(guān)的 B_RP 規(guī)格設(shè)置。選擇霍爾位置傳感器時(shí)，應(yīng)使其 B_RP 等于磁體到傳感器的距離為所需距離閾值時(shí)產(chǎn)生的磁通密度。還需要考慮一些因素，以確保外殼閉合時(shí)的磁通密度遠(yuǎn)低于磁通密度限值，以防止誤動(dòng)作。

圖 3-2 顯示了 B_OP、B_RP 和用于檢測(cè)外殼打開的限值閾值之間的關(guān)系。在該圖中，檢測(cè)到的磁通密度在外殼打開之前是恒定的。