5 選擇合適的器件進(jìn)行限制檢測

選擇合適的器件進(jìn)行限制檢測

通常根據(jù)以下規(guī)格選擇用于限制檢測的霍爾開關(guān)：

• B_OP 和 B_RP：B_OP 或 B_RP 決定了實(shí)現(xiàn)的限制，如前幾節(jié)所述。這些規(guī)格的必要值取決于磁體的強(qiáng)度和尺寸以及磁體與傳感器的距離。B_OP 和 B_RP 之間更緊密的遲滯能夠檢測較小距離的開口以進(jìn)行外殼篡改檢測。
• 電流消耗：如果應(yīng)用耗盡電池電量，則應(yīng)更大限度地降低電流消耗，以更大限度地延長電池使用壽命。
• 響應(yīng)時間：要實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)，需要具有快速采樣率。
• 工作電壓范圍：不同的系統(tǒng)具有不同的可用電源電壓。如果系統(tǒng)的可用電源電壓均超出霍爾位置傳感器的工作電壓范圍，則需要一個額外的電壓穩(wěn)壓器來生成一個電壓軌，以便為霍爾位置傳感器供電。
• 開漏與推挽輸出：當(dāng)需要使邏輯高電平輸出電壓與霍爾位置傳感器的 VCC 電壓處于不同的電壓電平時，或者當(dāng)有必要在沒有附加電路的情況下實(shí)現(xiàn)不同開路輸出的邏輯與時，選擇開漏輸出。與開漏輸出相比，推挽輸出具有更低的電流消耗，并且不需要上拉電阻。
• 全極與單極：全極霍爾傳感器可同時檢測磁體的北極和南極，而單極傳感器只能檢測一極。

DRV5032 提供多個版本，因此該器件非常適合限制檢測。DRV5032 的各種 B_OP 和 B_RP 閾值變體為磁通密度限制提供了多種選擇。此外，該器件還具有開漏輸出、推挽輸出、全極和單極器件型號。另外，該器件的平均電流消耗較低，可以采用低電壓供電，從而更大限度延長為其供電的任何電池的使用壽命。

如果需要在三個方向上進(jìn)行檢測（例如電表磁篡改檢測），也可以使用 3D 線性霍爾位置傳感器。一些 3D 線性霍爾器件（如 TMAG5170 和 TMAG5273）包括這樣一個特性：用戶可以針對每個軸配置限制，以便霍爾傳感器在檢測到的任何軸磁通密度超過其設(shè)定的限制時提供中斷。

備選器件建議

對于高速移動終點(diǎn)位置應(yīng)用，需要快速響應(yīng)，這可通過 DRV5021、DRV5023 或 DRV5033 霍爾開關(guān)來實(shí)現(xiàn)。TMAG5124 還可用于遠(yuǎn)程檢測移動終點(diǎn)位置事件。表 5-1 中的鏈接提供了有關(guān)這些備選器件規(guī)格的更多詳細(xì)信息：