反激式控制器的 MOSFET 選型需關(guān)注功率耗散和額定電壓。MOSFET 的功率耗散包括兩個不同部分：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗取決于 MOSFET 的 R_DS(ON) 電阻。N 溝道 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷時，開關(guān)損耗發(fā)生在開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時間和下降時間期間。在上升時間和下降時間期間，流經(jīng) MOSFET 通道的電流和漏源之間的大壓降會導(dǎo)致功率耗散。開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時間和下降時間越長，開關(guān)損耗越高。選擇小寄生電容 MOSFET 可降低開關(guān)損耗。

總柵極電荷 (Q_{G_total}) 必須足夠小，使內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器不會超出電流限制。給定 MOSFET 的 Q_{G_total} 可在元件數(shù)據(jù)表中找到。Equation16 用于計算所選開關(guān)頻率下 MOSFET 的總柵極電荷上限。所選 MOSFET 的 Q_{G_total} 為 35nC。

Equation16.

MOSFET 的 RMS 電流使用Equation17 估算。通過估算開關(guān) RMS 電流，可以選擇 R_DS(ON) 值足夠小的 MOSFET。

Equation17.

所選 MOSFET 的 R_DS(ON) 為 8.7mΩ。

MOSFET 的漏源擊穿電壓額定值需要高于反射的次級側(cè)電壓加上最大輸入電壓，計算方法見Equation18。

Equation18.

由于初級繞組的寄生漏電感，開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓振鈴遠(yuǎn)高于Equation18 中計算得出的值。為了克服開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的振鈴，可以添加電壓鉗位。本應(yīng)用報告未介紹如何設(shè)計此鉗位。對于此設(shè)計，選擇了額定電壓為 100V 的 MOSFET。