ZHCACL3A April 2023 – November 2024 TPS1211-Q1 , TPS1214-Q1 , TPS4811-Q1
2.3.1 在關(guān)閉 MOSFET 的情況下實(shí)現(xiàn)電池反向保護(hù)
圖 2-6 顯示了用于驅(qū)動(dòng)加熱器負(fù)載的 TPS12110-Q1 應(yīng)用電路?？梢韵?INP 引腳施加 PWM 信號(hào)，以控制負(fù)載的導(dǎo)通或關(guān)斷持續(xù)時(shí)間。
由于電源路徑中沒有反向阻斷 MOSFET，因此在電池反向情況下，有反向電流從 PGND、負(fù)載、MOSFET Q1 體二極管流向電池，如圖 2-6 所示。
在這種情況下，MOSFET Q1 會(huì)出現(xiàn)高功率耗散，并會(huì)因體二極管上的過熱和電流應(yīng)力而損壞。添加反向阻斷 MOSFET 可作為一種技術(shù)設(shè)計(jì)，用以避免這種應(yīng)力并保護(hù) MOSFET Q1。但是，諸如 RDSON、額定電流等阻斷 MOSFET 特性必須與 MOSFET Q1 相同。此設(shè)計(jì)使功率級(jí)的成本增加了一倍，并增加了設(shè)計(jì)尺寸，這在高電流系統(tǒng)設(shè)計(jì)中是不可接受的。
圖 2-6 在電池反向情況下，在 MOSFET 關(guān)閉的情況下驅(qū)動(dòng) PTC 加熱器負(fù)載的 TPS12110-Q1 應(yīng)用原理圖