ZHCACL3A April 2023 – November 2024 TPS1211-Q1 , TPS1214-Q1 , TPS4811-Q1
在汽車系統(tǒng)中,車身電機等負載可能會將能量傳遞回輸入電源,并且需要反向過流保護。圖 2-4 顯示了基于背對背 MOSFET(Q1 和 Q2)的 TPS12111-Q1 典型應用電路,用于設計適用于車身電機負載的安全斷開開關。
預充電電阻 R3 和 MOSFET Q3 構(gòu)成了輸出電容 C(BULK) 的充電路徑。在高電流設計中,預充電路徑通常用于將主 FET Q1 和 Q2 并聯(lián)的系統(tǒng)設計。Q1 MOSFET 用于在過流、短路和欠壓等系統(tǒng)故障期間斷開負載。
若沒有 MOSFET Q2,在輸入電池反向條件下,由于 PGND、電機橋 MOSFET 和 MOSFET Q1 形成的閉路,將產(chǎn)生非常高的反向電流。這種高電流受電路寄生效應的限制,可能會損壞電機橋、MOSFET Q1 和 PCB 引線。在這種情況下,使用 MOSFET Q2 來阻斷反向電流,因為 TPS12111-Q1 將 PD 拉至 SRC,以使 Q2 保持關斷狀態(tài)。
需要使用二極管 D1 和電阻器 R4 來保護 TPS12111-Q1 在電池反向情況下不受反向電流注入的影響。二極管 D1 會向控制輸入信號以及閾值設置添加失調(diào)電壓,以檢測欠壓故障情況。
如圖 2-5 所示,用斷開開關 Q4 替換 D1 和 R4 電路可以消除該失調(diào)電壓。D1 是一個柵極鉗位齊納二極管,其 Vz 低于 Q4 的 VGS 絕對最大額定值。