圖 3-13 中顯示了一個帶有輸入 EMI 濾波器（L_f、C_f）的典型降壓電路。虛線突出顯示了用于測量傳導(dǎo)噪聲的線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò) (LISN)。切換器的輸入電流 i _Q1 是不連續(xù)的，導(dǎo)致基波和較低階諧波以及高頻噪聲電流。差分噪聲是由正電力線和返回電力線之間的相反傳播路徑引起的，與輸入電流的快速 di/dt 有關(guān)，因此它可以等效于電流源驅(qū)動模型，如圖 2-5 所示。EMI 濾波器可以減少基波和較低階諧波，但由于電感器和電容器的寄生參數(shù)，它在降低高頻 DM 噪聲方面的有效性可能會降低。為了降低高頻 DM 噪聲，封裝技術(shù)和布局布線技術(shù)對于緩解系統(tǒng)中的這些噪聲源變得非常重要。

此外，輸入電流環(huán)路還會產(chǎn)生繞過 EMI 濾波器并耦合到 LISN 的磁場，如圖 3-22 中所示。這種磁耦合被建模為互感 (M₁)。功率電感器的泄漏磁場也通過互感 (M₂) 耦合到 LISN 網(wǎng)絡(luò)。其發(fā)射模型可以等效于圖 3-25。兩種類型的磁耦合都會產(chǎn)生 DM 噪聲電流。為了解決這些問題，通過策略性地放置輸入電容器來減少磁耦合 (M₁)，從而更大限度地減少降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電流環(huán)路至關(guān)重要，使用完全密封的電感器來減少磁耦合 (M₂) 也是有益的。