布局布線在更大限度地降低 EMI 噪聲方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，如果可能，建議使用四層 PCB。頂層應(yīng)主要容納轉(zhuǎn)換器、電感器和 SW 節(jié)點(diǎn)，所有這些都是噪聲源。第二層應(yīng)為連續(xù)的覆銅，用作接地平面以提供屏蔽。第三層可用于布放輸入、輸出和信號(hào)布線。最后，底層應(yīng)容納遠(yuǎn)離頂層噪聲源位置的 EMI 濾波器。

下面概述了同步降壓轉(zhuǎn)換器 LMR38020-Q1 的建議布局，其中包含重要注意事項(xiàng)：

1. 頂層注意事項(xiàng)，如圖 3-5 所示。
   圖 3-5 頂層布局
   • 輸入電容器 (Cin) 應(yīng)靠近 VIN 和 GND 引腳放置，以更大限度地減小輸入關(guān)鍵型環(huán)路面積。此外，應(yīng)在 Cin 的 GND 和 VIN 平面周圍放置更多過(guò)孔，以減小輸入電流環(huán)路的寄生電感。此外，應(yīng)對(duì)稱地放置 Cin 以創(chuàng)建兩個(gè)輸入環(huán)路，從而消除感應(yīng)的磁場(chǎng)并減弱與 LISN 的磁耦合。相似地，輸出電容器也應(yīng)該對(duì)稱放置以實(shí)現(xiàn)同樣的效果。
   • SW 節(jié)點(diǎn)是主要噪聲源，在布線時(shí)應(yīng)避免連接到其他層的任何過(guò)孔。此外，SW 節(jié)點(diǎn)面積應(yīng)保持較小，從而更大限度地減小寄生電容 (CP)。
   • 建議添加一個(gè) GND 禁止區(qū)域，將外部 GND 與內(nèi)部 GND 噪聲隔離。

   圖 3-6 展示了 Cin 在非對(duì)稱和對(duì)稱配置中的放置方式。圖 3-13 和圖 3-13 顯示了兩種配置之間 EMI 測(cè)試結(jié)果的比較。數(shù)據(jù)表明，在 FM 頻帶中，與非對(duì)稱配置相比，對(duì)稱電容器放置的峰值和平均噪聲水平大約低 4dB。這一發(fā)現(xiàn)證明了通過(guò)采用對(duì)稱放置電容器來(lái)消除磁場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)。

   圖 3-6 降壓轉(zhuǎn)換器上 CIN 的對(duì)稱和非對(duì)稱放置

圖 3-7 非對(duì)稱 Cin 放置的傳導(dǎo) EMI 測(cè)試結(jié)果

圖 3-8 對(duì)稱 Cin 放置的傳導(dǎo) EMI 測(cè)試結(jié)果

1. 圖 3-25 演示了第二層布局注意事項(xiàng)。在該布局中，整個(gè)第二層填充有銅作為接地平面。該接地平面位于輸入關(guān)鍵環(huán)路和電感器的正下方。這樣，銅中會(huì)產(chǎn)生渦流，這有助于減弱元件之間的磁耦合并降低整體 EMI 噪聲。

   圖 3-9 第二層布局
2. 第三層如圖 3-22 所示，該層主要用于信號(hào)布線。電源正常和 EN UVLO 等信號(hào)可以在該平面上布線。
   圖 3-10 第三層布局
3. 圖 3-12 展示了底層。EMI 濾波器放置在這一層，遠(yuǎn)離先前討論過(guò)的頂層噪聲源。請(qǐng)注意，濾波電容器也是對(duì)稱放置的，以進(jìn)一步減少任何磁耦合。
   圖 3-11 底層布局