ZHCSJ45E December 2018 – August 2023 LM5155 , LM51551
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框圖
- 9.3
特性說明
- 9.3.1 線路欠壓鎖定（UVLO/SYNC 引腳）
- 9.3.2 高壓 VCC 穩(wěn)壓器（BIAS、VCC 引腳）
- 9.3.3 軟啟動（SS 引腳）
- 9.3.4 開關頻率（RT 引腳）
- 9.3.5 時鐘同步（UVLO/SYNC 引腳）
- 9.3.6 電流檢測和斜率補償（CS 引腳）
- 9.3.7 電流限制和最短導通時間（CS 引腳）
- 9.3.8 反饋和誤差放大器（FB、COMP 引腳）
- 9.3.9 電源正常狀態(tài)指示器（PGOOD 引腳）
- 9.3.10 斷續(xù)模式過載保護（僅限 LM51551）
- 9.3.11 最大占空比限制和最小輸入電源電壓
- 9.3.12 MOSFET 驅(qū)動器（GATE 引腳）
- 9.3.13 過壓保護 (OVP)
- 9.3.14 熱關斷 (TSD)
- 9.4 器件功能模式
- 10應用和實施
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
10.2.2.8 效率估算
升壓轉(zhuǎn)換器的總損耗 (PTOTAL) 可表示為以下?lián)p耗之和：器件中的損耗 (PIC)、MOSFET 功率損耗 (PQ)、二極管功率損耗 (PD)、電感器功率損耗 (PL) 和檢測電阻中的損耗 (PRS)。
PIC 可分為柵極驅(qū)動損耗 (PG) 和靜態(tài)電流導致的損耗 (PIQ)。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
每種模式下的 IVIN 和 IVOUT 值可在節(jié) 8.5 的電源電流部分中找到。
PQ 可分為開關損耗 (PQ(SW)) 和導通損耗 (PQ(COND))。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
tR 和 tF 是低側(cè) N 溝道 MOSFET 器件的上升時間和下降時間。ISUPPLY 是升壓轉(zhuǎn)換器的輸入電源電流。
RDS(ON) 是 MOSFET 數(shù)據(jù)表中規(guī)定的 MOSFET 導通電阻?？紤]自熱導致的 RDS(ON) 增加。
PD 可以分為二極管導通損耗 (PVF) 和反向恢復損耗 (PRR)。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
QRR 是二極管的反向恢復電荷，會在二極管數(shù)據(jù)表中指定。二極管的反向恢復特性對效率有很大影響，在高輸出電壓下尤其如此。
PL 是 DCR 損耗 (PDCR) 和交流磁芯損耗 (PAC) 之和。DCR 是電感器數(shù)據(jù)表中提到的電感器直流電阻。
每種功率損耗的近似計算方法如下：
?I 是峰峰值電感器電流紋波。K、α 和 β 是磁芯相關因素、可由電感器制造商提供。
PRS 的計算公式如下：
電源轉(zhuǎn)換器的效率可按照如下方式進行估計：
