ZHCSJ45E December 2018 – August 2023 LM5155 , LM51551
PRODUCTION DATA
該器件提供一個(gè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,可灌入或拉取 1.5A 的峰值電流。當(dāng)提供高于 6.75V VCC 穩(wěn)壓目標(biāo)的外部 VCC 時(shí),峰值拉電流更大。在啟動(dòng)期間,尤其是當(dāng)輸入電壓范圍低于 VCC 穩(wěn)壓目標(biāo)時(shí),VCC 電壓必須足以完全增強(qiáng) MOSFET。如果在啟動(dòng)期間 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電壓低于 MOSFET 柵極平坦電壓,則升壓轉(zhuǎn)換器可能無法正常啟動(dòng),并且可能會(huì)在高功耗狀態(tài)下保持在最大占空比。通過選擇較低閾值 N 溝道 MOSFET 開關(guān),并將 VSUPPLY(ON) 設(shè)置為大于 6V 至 7V,可避免這種情況。由于內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器拉電流能力有限,因此 MOSFET 柵極電荷應(yīng)滿足以下不等式。
在 GATE 和 PGND 之間連接一個(gè)內(nèi)部 1MΩ 電阻,防止關(guān)斷期間誤導(dǎo)通。在升壓拓?fù)渲校仨氃?65μs 內(nèi)部啟動(dòng)延遲期間限制開關(guān)節(jié)點(diǎn) dV/dT,以避免由 MOSFET 的 CDG 寄生電容耦合所導(dǎo)致的誤導(dǎo)通。