數(shù)字隔離需求

電隔離技術(shù)通過隔離電氣系統(tǒng)的功能部分，防止直流電流或不受控制的瞬態(tài)電流在這些功能部分之間流動。但是，數(shù)據(jù)和能量仍需要通過電隔離柵。這種隔離柵可采用光學、磁性或電容隔離技術(shù)。其中，數(shù)字隔離器包含電容隔離和磁隔離，它通過隔離柵以數(shù)字方式傳輸數(shù)據(jù)。和磁隔離一樣，電容隔離利用數(shù)字電路對傳入信號進行編碼和解碼，從而使信號通過隔離柵。

從根本上說，電容只能通過交流信號，不能通過直流信號；此外，它們在保持高數(shù)據(jù)速率和低功耗的同時不易受到磁噪聲的影響。因為 SiC 柵極驅(qū)動器具有高數(shù)據(jù)速率和高抗噪性（共模瞬態(tài)抗擾度高于 150V/ns），因此適合使用電容隔離。

TI 最近推出了業(yè)內(nèi)先進的隔離式柵極驅(qū)動器系列 UCC217xx，具有快速集成式檢測能力，適用于 IGBT 和 SiC MOSFET。該系列器件不僅提供先進的監(jiān)控和保護功能，還能提高汽車和工業(yè)應用（如牽引逆變器、車載充電器、驅(qū)動器和并網(wǎng)系統(tǒng)大功率調(diào)節(jié)器）的總系統(tǒng)效率。通過集成元件，這些器件可縮短檢測時間以防范過流事件，同時確保系統(tǒng)安全關(guān)斷。UCC217xx 系列利用電容隔離技術(shù)，最大限度延長絕緣柵的使用壽命，同時還提供高增強隔離等級、快速的數(shù)據(jù)速度和高密度封裝。該系列使用 SiC MOSFET 可進一步提高系統(tǒng)優(yōu)勢，具體如下：

• 增強系統(tǒng)性能：該器件 ±10A 的高峰值驅(qū)動強度最大限度地提高了開關(guān)性能并降低了損耗，同時 200ns 的過流檢測可實現(xiàn)快速系統(tǒng)保護。
• 增強系統(tǒng)級可靠性：UCC217xx 系列利用電容隔離技術(shù)和先進的增強隔離等級以及高達 12.8kV 的浪涌抗擾度，可延長絕緣柵的使用壽命。此外，這些器件可確保準確的數(shù)據(jù)通信，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) > 150V/ns
• 減小系統(tǒng)尺寸：柵極驅(qū)動器可通過集成的緩沖器和傳感器減少外部元件，同時通過隔離的模擬-脈寬調(diào)制傳感器提供準確的溫度、電流或電壓感測，從而簡化系統(tǒng)級診斷并防止開關(guān)故障。