系統(tǒng)級優(yōu)勢和挑戰(zhàn)

SiC FET 的開關(guān)速度比 IGBT 快，這是因為在 SiC 關(guān)斷期間沒有尾電流。但是，這種尾電流可在關(guān)斷期間抑制振鈴，這實際上是 IGBT 的一個優(yōu)勢（尤其是在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中），因為任何誤導(dǎo)通和由此產(chǎn)生的過沖都可能損壞系統(tǒng)?；?SiC 的應(yīng)用面臨的系統(tǒng)級挑戰(zhàn)是如何通過柵極電阻或緩沖器控制振鈴。

開關(guān)速度越快，則磁性元件和電容濾波器尺寸越小，從而減小系統(tǒng)尺寸和降低成本。如前所述，鑒于高熱導(dǎo)率，系統(tǒng)還應(yīng)該降低冷卻需求。

一些系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商仍然認(rèn)為，減小系統(tǒng)尺寸和降低成本不足以抵消 SiC 所帶來的高元件成本?；?SiC 的系統(tǒng)開發(fā)仍處于早期階段，因此目前成本會很高。然而，隨著市場的廣泛推廣，實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)后，SiC 成本自然會下降，從而實現(xiàn)系統(tǒng)級成本效益。