自 20 世紀(jì) 80 年代中期開(kāi)始，非鉗位電感式開(kāi)關(guān) (UIS) 額定值普遍應(yīng)用在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中。事實(shí)證明，該參數(shù)非常實(shí)用。雖然在實(shí)際應(yīng)用中不建議 FET 重復(fù)發(fā)生雪崩，但工程師已經(jīng)學(xué)會(huì)了使用該指標(biāo)來(lái)避免在設(shè)計(jì)中使用可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題的較弱器件。

可以通過(guò) 5 個(gè)不同的限制條件得出 MOSFET SOA，即電阻、電流、最大功率、熱不穩(wěn)定性和 MOSFET 電壓。了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 SOA 曲線。

了解 MOSFET 電流額定值的測(cè)量方法并不像確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)那樣，而是通過(guò)計(jì)算得出，并可以通過(guò)多種不同的方式得出。?

了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的其他開(kāi)關(guān)參數(shù)以及它們與器件整體性能的關(guān)系（或沒(méi)有關(guān)系）。

MOSFET 在電路中的性能在很大程度上取決于器件的熱性能。

通過(guò) FET 數(shù)據(jù)表了解結(jié)至環(huán)境熱阻抗和結(jié)至外殼熱阻抗參數(shù)并了解這些數(shù)值是如何得出的。

了解如何快速權(quán)衡尺寸、成本和性能，根據(jù)應(yīng)用條件選擇合適的 MOSFET。一位 TI MOSFET 應(yīng)用專(zhuān)家介紹了眾多基于應(yīng)用的 MOSFET 功率損耗工具中的一個(gè)示例。