TI 的 NexFET? MOSFET 可提供各種 N 溝道和 P 溝道電源模塊以及分立式電源解決方案。我們高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更長的電池壽命、更高的功率密度和更高的頻率，可實現(xiàn)快速開關(guān)。這些優(yōu)勢可在外形小巧的封裝中提供設(shè)計靈活性，并使設(shè)計工程師能夠縮短產(chǎn)品上市時間。
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P 溝道 MOSFET
電源塊
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自 20 世紀(jì) 80 年代中期開始，非鉗位電感式開關(guān) (UIS) 額定值普遍應(yīng)用在 MOSFET 數(shù)據(jù)表中。事實證明，該參數(shù)非常實用。雖然在實際應(yīng)用中不建議 FET 重復(fù)發(fā)生雪崩，但工程師已經(jīng)學(xué)會了使用該指標(biāo)來避免在設(shè)計中使用可能會導(dǎo)致問題的較弱器件。
技術(shù)文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 UIS/雪崩額定值。
可以通過 5 個不同的限制條件得出 MOSFET SOA，即電阻、電流、最大功率、熱不穩(wěn)定性和 MOSFET 電壓。了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 SOA 曲線。
技術(shù)文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 2 - Safe operating area (SOA) graph
了解如何解讀 MOSFET 數(shù)據(jù)表上的 SOA 曲線。
了解 MOSFET 電流額定值的測量方法并不像確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)那樣，而是通過計算得出，并可以通過多種不同的方式得出。?
技術(shù)文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 3 - Continuous current ratings
了解 MOSFET 電流額定值的測量方法并不像確定 RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)那樣，而是通過計算得出，并可以通過多種不同的方式得出。
了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的其他開關(guān)參數(shù)以及它們與器件整體性能的關(guān)系（或沒有關(guān)系）。
技術(shù)文章
Understanding MOSFET data sheets, Part 5 – Switching Parameters
了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表中顯示的其他開關(guān)參數(shù)以及它們與器件整體性能的關(guān)系（或沒有關(guān)系）。
MOSFET 在電路中的性能在很大程度上取決于器件的熱性能。
通過 FET 數(shù)據(jù)表了解結(jié)至環(huán)境熱阻抗和結(jié)至外殼熱阻抗參數(shù)并了解這些數(shù)值是如何得出的。
技術(shù)文章
Understanding MOSFET data sheets, part 6 – thermal impedance
通過 FET 數(shù)據(jù)表了解結(jié)至環(huán)境熱阻抗和結(jié)至外殼熱阻抗參數(shù)。
了解如何快速權(quán)衡尺寸、成本和性能，根據(jù)應(yīng)用條件選擇合適的 MOSFET。一位 TI MOSFET 應(yīng)用專家介紹了眾多基于應(yīng)用的 MOSFET 功率損耗工具中的一個示例。
技術(shù)資源
應(yīng)用手冊
MOSFET 支持和培訓(xùn)工具 (Rev. F)
了解支持功率 MOSFET 設(shè)計所需的所有文獻和工具。
應(yīng)用手冊
關(guān)于減小 NexFET 功率 MOSFET 震蕩的方法
該應(yīng)用手冊討論了開關(guān)節(jié)點振鈴的來源、準(zhǔn)確表征該振鈴的測量技術(shù)以及在保持出色系統(tǒng)性能的同時更大程度地減小影響的方法。
技術(shù)文章
功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表第 1 部分中沒有的內(nèi)容：溫度相關(guān)性
了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表包含的內(nèi)容及其不包含的內(nèi)容（更重要）。