按類別瀏覽
按類型瀏覽
技術(shù)資源
DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
設(shè)計(jì)和開發(fā)資源
TPS51200 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器
TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩(wěn)壓器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在為 DDR 存儲(chǔ)器提供適當(dāng)?shù)慕K止電壓和 10mA 緩沖基準(zhǔn)電壓，該存儲(chǔ)器涵蓋 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 規(guī)格，并具有超少的外部元件。
具有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)的 2A 峰值灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器
TPS51206EVM-745 評估模塊（EVM）采用了 TPS51206 器件。TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩沖參考輸出的灌電流/拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部元件數(shù)的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。TPS51206EVM-745 旨在為 DDR 存儲(chǔ)器提供適當(dāng)?shù)慕K止電壓和 10mA 緩沖基準(zhǔn)電壓，該存儲(chǔ)器涵蓋 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 規(guī)格，并具有超少的外部元件。
TPS54116-Q1 汽車類 DDR 電源解決方案評估模塊
此評估模塊旨在演示使用 TPS54116-Q1 穩(wěn)壓器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，可減小印刷電路板面積。外部分壓器能實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)的輸出電壓。TPS54116-Q1 直流/直流轉(zhuǎn)換器是一款同步降壓轉(zhuǎn)換器，旨在為 DDR 存儲(chǔ)器終端提供高達(dá) 4A 的輸出和集成的 1A 拉電流/灌電流 LDO。