氮化鎵 (GaN) 智能電源模塊 (IPM)
借助我們的集成式氮化鎵 (GaN) 智能電源模塊 (IPM)，更大限度地提升高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的電源效率
我們的集成式 GaN IPM 可實(shí)現(xiàn) 99% 以上的逆變器效率，無需外部散熱器，并可改善熱性能、降低功率損耗。先進(jìn)的集成和更高的功率密度可縮減解決方案尺寸和系統(tǒng)級(jí)成本。超低的死區(qū)時(shí)間和傳播延遲可通過減少電流諧波和更高精度的電流檢測(cè)來提高聲學(xué)性能。更高的電源效率、零反向恢復(fù)、精確的壓擺率控制以及短路和過流保護(hù)可提高系統(tǒng)可靠性并延長電機(jī)驅(qū)動(dòng)的使用壽命。
相關(guān)類別
我們 GaN IPM 的優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
我們的智能電源模塊集成了具有低導(dǎo)通電阻的高壓 GaN 器件，與 IGBT 或 MOSFET 模塊相比，可將逆變器效率提高 2%，并將功率損耗降低 50% 或以上。
延長電機(jī)驅(qū)動(dòng)的使用壽命
集成的壓擺率控制和多級(jí)保護(hù)有助于減少電機(jī)發(fā)熱、更大限度提高電源效率并在電機(jī)使用壽命期間增強(qiáng)絕緣。
實(shí)現(xiàn)安靜精確的電機(jī)運(yùn)行
實(shí)現(xiàn)具有低傳播延遲的精確電流檢測(cè)，并通過低死區(qū)時(shí)間減少電流諧波。低占空比支持可實(shí)現(xiàn)更寬的電機(jī)轉(zhuǎn)速范圍。
提高功率密度并降低系統(tǒng)成本
通過省去散熱器并集成電流檢測(cè)放大器和保護(hù)功能，將系統(tǒng)尺寸減小多達(dá) 60%。
特色技術(shù)
GaN IPM 簡(jiǎn)介
與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極晶體管相比，使用氮化鎵 (GaN) 構(gòu)建的智能電源模塊 (IPM) 可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
優(yōu)勢(shì)：
- 該功率級(jí)具有 >99% 的效率，無需散熱器等冷卻元件，從而可提高整體效率并縮減電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)尺寸。
- <150ns 死區(qū)時(shí)間和傳播延遲以及更高的脈寬調(diào)制開關(guān)頻率，可減少電流失真，從而提高聲學(xué)性能。
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