ZHCSNL7 March 2022 LM25143
PRODUCTION DATA
對于集成柵極驅(qū)動器和偏置電源 LDO 穩(wěn)壓器的 PWM 控制器,以下方面會極大地影響其實用的工作溫度范圍:
為了使 PWM 控制器在特定的溫度范圍內(nèi)發(fā)揮作用,封裝必須允許有效地散發(fā)所產(chǎn)生的熱量,同時使結(jié)溫保持在額定限值以內(nèi)。LM25143 控制器采用小型 6mm × 6mm 40 引腳 VQFN (RHA) PowerPAD 封裝,可滿足一系列應用要求。 對此封裝的熱指標進行了匯總。
40 引腳 VQFNP 封裝提供了一種通過封裝底部外露散熱焊盤實現(xiàn)半導體芯片散熱的方式。雖然封裝的外露焊盤并不直接連接到封裝的任何引線,但會熱連接至 LM25143 器件的基板(接地端)。這可以顯著改善散熱,并且 PCB 設(shè)計必須采用導熱焊盤、散熱通孔和接地平面,以構(gòu)成完整的散熱子系統(tǒng)。LM25143 的外露焊盤直接焊接在器件封裝下方 PCB 的接地銅層上,從而將熱阻降至一個很小的值。
導熱焊盤與內(nèi)部和焊接面接地平面之間連接著多個直徑為 0.3mm 的過孔,這些過孔對幫助散熱非常重要。在多層 PCB 設(shè)計中,通常會在功率元件下方的 PCB 層上放置一個實心接地平面。這不僅為功率級電流提供了一個平面,而且還為發(fā)熱器件提供了一個熱傳導路徑。
MOSFET 的散熱特性也非常重要。高側(cè) MOSFET 的漏極焊盤通常連接到 VIN 層來實現(xiàn)散熱。低側(cè) MOSFET 的漏極焊盤則連接到相應的 SW 層,但 SW 層的面積應保持盡可能小,以緩解 EMI 問題。