ZHCSQ19A June 2023 – September 2024 TMUX582F-SEP
PRODUCTION DATA
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閂鎖是在電源引腳和接地之間創(chuàng)建低阻抗路徑的情況。這種情況由觸發(fā)器(電流注入或過(guò)壓)引起,一旦激活,即使觸發(fā)器不再存在,低阻抗路徑也仍然存在。該低阻抗路徑可能會(huì)因電流電平過(guò)高而導(dǎo)致系統(tǒng)混亂或巨大損壞。閂鎖情況通常需要下電上電來(lái)消除低阻抗路徑。
TMUX582F-SEP 器件采用基于絕緣體硅 (SOI) 的工藝制造,在每個(gè) CMOS 開(kāi)關(guān)的 PMOS 和 NMOS 晶體管之間添加了氧化層,用于防止形成寄生結(jié)構(gòu)。氧化層也稱為絕緣溝道,可防止因過(guò)壓或電流注入而觸發(fā)閂鎖事件。閂鎖效應(yīng)抑制使得 TMUX582F-SEP 能夠在惡劣的環(huán)境中使用。請(qǐng)參閱使用閂鎖效應(yīng)抑制多路復(fù)用器幫助改善系統(tǒng)可靠性,了解有關(guān)閂鎖效應(yīng)抑制的更多信息。