ZHCSU19A December 2023 – November 2024 TPSI3100
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
為了幫助確保實(shí)現(xiàn)可靠的電源電壓,TI 建議 VDDP 和 VSSP 之間的 CVDDP 電容由一個(gè)用于高頻去耦的 0.1μF 旁路電容器與一個(gè)用于低頻去耦的 1μF 旁路電容器并聯(lián)組成。必須在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。