ZHCSU19A December 2023 – November 2024 TPSI3100
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DVX|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.2.3 應(yīng)用曲線
圖 9-7 過流保護(hù)典型時(shí)序和行為- 在 t0 時(shí)：VDRV 被置為高電平，外部 FET 提供負(fù)載電流 ILOAD。ILOAD 處于正常工作范圍內(nèi)，低于警報(bào)級別設(shè)置 4A（標(biāo)稱值）。ALM1_CMP 和 FLT1_CMP 比較器輸入電壓低于 TPSI3100 的 VREF 設(shè)置的比較器閾值 0.31V（標(biāo)稱值）。ALM1 和 FLT1 故障通過外部上拉電阻器上拉至 VDDP 而被置為高電平。
- 在 t1 時(shí)：ILOAD 電流增加并達(dá)到 4A（標(biāo)稱值）的警報(bào)級別設(shè)置。ALM1_CMP 比較器輸入電壓達(dá)到其閾值 0.31V，ALM1 在 tALM_LATENCY 內(nèi)置為低電平。由于尚未達(dá)到 FLT1_CMP 比較器輸入閾值，因此 VDRV 仍然被置為高電平。FLT1 仍然通過外部上拉電阻器上拉至 VDDP 而被置為高電平。
- 在 t2 時(shí)：ILOAD 電流增加并達(dá)到 8A（標(biāo)稱值）的故障級別設(shè)置。FLT1_CMP 比較器輸入電壓達(dá)到其 0.31V 的閾值，VDRV 被快速置為低電平以禁用外部 FET。FLT1 在 tFLT_LATENCY 內(nèi)置為低電平。由于 ALM1_CMP 比較器輸入超過其閾值，因此 ALM1 仍然被置為低電平。
- 在 t3 時(shí)：由于 FET 已關(guān)斷，因此 ILOAD 被移除。FLT1_CMP 和 ALM1_CMP 比較器輸入降至其閾值以下，穩(wěn)定至 VSSS。VDRV 仍然被置為低電平，使外部 FET 保持關(guān)斷達(dá) tREC_VDRV。FLT1 和 ALM1 分別在 tFLT_LATENCY 和 tALM_LATENCY 內(nèi)置為高電平，向系統(tǒng)指示故障和警報(bào)條件已消除。
- 在 t4 時(shí)：由于 EN 保持高電平，VDRV 再次置為高電平，已經(jīng)過 tREC_VDRV 時(shí)間，故障條件不再存在。外部 FET 啟用，在正常工作范圍內(nèi)提供 ILOAD。
圖 9-8 顯示了典型的波形捕獲。在時(shí)間 0μs 時(shí)，施加超過 5A 的負(fù)載電流 (ILOAD) 脈沖。由于這高于 4.13A 的警報(bào)比較器閾值，因此 ALM1 指示器在 tALM_LATENCY 內(nèi)被置為低電平，在這種情況下接近時(shí)間 5μs。大約在時(shí)間 15μs 時(shí)，施加超過 10A 的負(fù)載電流脈沖。由于這高于 8.27A 的故障比較器閾值，因此 VDRV 被快速置為低電平以保護(hù)功率 FET，ILOAD 降至 0A。FLT1 在 tFLT_LATENCY 內(nèi)被置為低電平，在這種情況下接近時(shí)間 30μs。在第二個(gè)負(fù)載電流脈沖上，超過故障和警報(bào)比較器閾值。ILOAD 降至故障和警報(bào)比較器閾值以下后，ALM1 和 FLT1 在接近時(shí)間 55μs 時(shí)置為高電平，指示不存在警報(bào)或故障。VDRV 保持被置為低電平，直到經(jīng)過 tREC_VDRV 時(shí)間（接近時(shí)間 180μs）。
圖 9-8 過流保護(hù)和 VDRV 自動(dòng)恢復(fù)