ZHCSU19A December 2023 – November 2024 TPSI3100
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DVX|16
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.3.7 禁止電路
TPSI310x、TPSI311x、TPSI312x 和 TPSI3133 系列包含輸出驅(qū)動器上的禁止電路。禁止電路的目的是將柵極電壓鉗位在可接受的電平以下，以防止外部電源開關(guān)在次級電源軌未供電時導(dǎo)通。禁止電路可用于替代或大幅降低外部電源開關(guān)上外部釋放電阻器的要求。
圖 8-9 顯示了禁止電路的簡化原理圖。晶體管 MP1 和 MN1 構(gòu)成了提供柵極電流來驅(qū)動外部電源開關(guān) (M1) 的驅(qū)動器。當(dāng)次級側(cè)未供電時，從 MN1 的漏極連接到柵極的 1MΩ 電阻器形成 NMOS 二極管配置。任何通過 M1 寄生柵漏和柵源電容耦合到 VDRV 信號的外部耦合都可能導(dǎo)致 VDRV 信號上升。MN1 的二極管配置會灌入該電流，以防止 VDRV 上升過高，從而將 VDRV 鉗位到 VACT_CLAMP。這足以使大多數(shù)電源開關(guān)保持關(guān)斷狀態(tài)。如果需要，還可以在 M1 的柵源之間放置一個額外的電阻（約為 250kΩ 或更高）。請注意，所施加的任何電阻在正常運行時都需要次級電源供電，總體功率預(yù)算中應(yīng)考慮這一點。
除了 MN1 二極管鉗位之外，MP1 的體二極管還有助于吸收任何耦合到 VDRV 的電流。對于大多數(shù)應(yīng)用，等效電容 Ceq（CDIV1 和 CDIV2 的串聯(lián)組合）通常約為數(shù)百納法拉。如果功率傳輸停止一段時間，該電容會完全放電至 VSSS，并通過連接至 VDDH 的 MP1 的體二極管將 VDRV 二極管鉗位至 VSSS 以上。通過 M1 寄生柵漏和柵源電容耦合到 VDRV 信號的任何外部耦合都被 Ceq 吸收，從而更大限度減少 VDRV 上的電壓上升。
圖 8-9 禁止電路