3 初級側調節(jié) (PSR) 反激式拓撲

PSR 反激式拓撲不需要光耦合器或三級繞組，并利用由磁化電感和開關節(jié)點電容引起的諧振環(huán)特性實現極其嚴格的負載調節(jié)。與傳統的反激式拓撲相比，它根據負載情況在非連續(xù)導通模式 (DCM) 或邊界導通模式 (BCM) 下運行。反過來，它消除了變壓器直流電阻 (DCR) 或次級側二極管的任何誤差，以實現嚴格的調節(jié)。

與連續(xù)導通模式 (CCM) 相比，PSR 反激式拓撲在 BCM/DCM 模式下工作，具有更低的電感（在更高的峰峰值紋波電流下）和更低的開關損耗，因為 MOSFET 導通和二極管關斷在零電流下發(fā)生。然而，PSR 反激式拓撲中較高的初級和次級側 RMS 電流會導致磁體和半導體中的傳導損耗。

圖 3-1 所示為使用 LM5180 器件的 PSR 反激式拓撲的示例原理圖。它展示了變壓器如何實現只有兩個繞組的方案，并且與傳統反激式拓撲相比，元件總數也更少。

圖 3-1 展示極少總元件數和單個變壓器的 PSR 反激式配置