對于需要更高電池平衡電流的應用，通常使用外部 FET。使用外部 FET 時，可以將電池輸入電阻器增大至最大建議值 100Ω。增加電阻器大小將有助于在 FET 的柵極上提供足夠的電壓。在圖 2-2 中，當內(nèi)部 FET 在器件內(nèi)部導通時，流經(jīng) R_n-1 的電流為外部 FET 提供 V_GS 的電壓。

必須小心選擇具有在低 V_GS 下定義的低 R_DSON 的外部 FET。例如，由參數(shù) Cell Balance Min Cell V（電池平衡最低電池電壓） 定義的默認平衡最低電壓為 3900mV。外部 FET 應具有在 3.9V x 100/(100 + 100 + 25) = 1.73V 或更低的電壓下定義的 R_DSON。

需要使用一個齊納二極管來保護外部 FET 柵極免受電池組瞬態(tài)的影響。例如，如果一個 10 節(jié)電池組發(fā)生短路，則在發(fā)生短路期間，電池 10 的 R_n 兩端將具有大約 40V 的電壓，而在短路解除時會發(fā)生相反的瞬態(tài)。應通過一個電阻器來連接柵極電壓，以限制二極管導通時的電流。（在正常操作期間，齊納二極管將不會導通）。

對于下面捕獲的波形，電路設計采用了 100Ω 的 R_n 和 1kΩ 的 R_gn。R_bal 電阻器設置為 50Ω，從而在 4V 電壓下使流經(jīng)外部 FET 的平衡電流為 80mA。在該電池電壓下，約 16mA 的額外電流流經(jīng)器件的內(nèi)部 FET，從而使總平衡電流接近 96mA。選擇了一個具有為低 V_GS（低至 1.4V）定義的 R_DSON 的 N 溝道 MOSFET。