ZHCAB24 August 2020 AM67 , AM67A , AM68 , AM68A , AM69 , AM69A , DRA821U , DRA821U-Q1 , DRA829J , DRA829J-Q1 , DRA829V , DRA829V-Q1 , TDA4AEN-Q1 , TDA4AH-Q1 , TDA4AL-Q1 , TDA4AP-Q1 , TDA4APE-Q1 , TDA4VE-Q1 , TDA4VEN-Q1 , TDA4VH-Q1 , TDA4VL-Q1 , TDA4VM , TDA4VM-Q1 , TDA4VP-Q1 , TDA4VPE-Q1
2.2 溫度對(duì)通過(guò)區(qū)域的影響
SoC 芯片溫度會(huì)影響 IO 延遲，導(dǎo)致通過(guò)區(qū)域的大小和位置發(fā)生變化，如圖 2-2 中所示。
圖 2-2 溫度對(duì)通過(guò)區(qū)域的影響兩個(gè)通過(guò)區(qū)域之間的邊界隨溫度而移動(dòng)。如果該邊界在運(yùn)行期間偏移并跨越選定的調(diào)優(yōu)點(diǎn)，則從 OSPI 控制器讀取數(shù)據(jù)的操作將無(wú)法讀取正確的數(shù)據(jù)。圖 2-2 示出了一個(gè)放置不當(dāng)?shù)恼{(diào)優(yōu)點(diǎn)的示例。左圖示出了低溫下的調(diào)優(yōu)。隨著溫度升高，IO 延遲會(huì)增加，導(dǎo)致往返延遲增加。TX 和 RX PDL 值保持不變，因此，在高溫下，采樣點(diǎn)將處于錯(cuò)誤的 ref_clk 周期。為此，OSPI 調(diào)優(yōu)算法識(shí)別最大的通過(guò)區(qū)域，并選擇一個(gè)遠(yuǎn)離 ref_clk 周期之間移動(dòng)邊界的 TX/RX 組合。