ZHCAC52 march 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1 , TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1
圖 5-1 所示為根據(jù)檢測(cè)到的噪聲參數(shù)(電壓或電流)、注入消除信號(hào)的方式(電壓或電流)和有源控制技術(shù)(FB 或 FF)進(jìn)行廣義概括的六種有源濾波器配置。
術(shù)語(yǔ) iS 和 ZS(圖 5-1)指定功率級(jí)的諾頓等效噪聲電流源和并聯(lián)源阻抗。ZL 是噪聲接收端(或 EMI 受擾對(duì)象,例如用于 EMI 測(cè)量的 LISN)的負(fù)載阻抗。G 表示有源電路的增益。添加不同的無(wú)源元件來(lái)代替 ZS 和 ZL 將形成不同的混合電路。
從控制的角度來(lái)看,F(xiàn)B 設(shè)計(jì)會(huì)檢測(cè) EMI 受擾對(duì)象處的殘余干擾,使信號(hào)反相,用高增益 G 將信號(hào)放大,然后將消除信號(hào)注入回系統(tǒng),從而在所需的頻率范圍內(nèi)將檢測(cè)到的參數(shù)驅(qū)動(dòng)為零。相比之下,F(xiàn)F 設(shè)計(jì)會(huì)檢測(cè) EMI 源處的干擾,使信號(hào)反相,用單位增益將信號(hào)放大,然后將信號(hào)注入回 EMI 受擾對(duì)象。FF 的放大器單位增益設(shè)置必須具有高精度才能使 EMI 信號(hào)和抗 EMI 信號(hào)相互抵消,因此 FF 設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)難度更高。
在噪聲檢測(cè)方面,VS 和 CS 元件通常分別是電容器和 CS 變壓器(或現(xiàn)有磁性元件上的輔助繞組)。在噪聲消除方面,VI 設(shè)計(jì)使用受控串聯(lián)電壓源來(lái)阻止噪聲電流流向 LISN,而 CI 設(shè)計(jì)使用受控分流電流源來(lái)重新路由噪聲源產(chǎn)生的噪聲電流,以防止噪聲電流流入并被 LISN 測(cè)量到。VI 和 CI 設(shè)計(jì)實(shí)際上可以使用負(fù)載分別創(chuàng)建分壓器和分流器。通常,變壓器可以包含串聯(lián)元件,而電容器則實(shí)現(xiàn)分流導(dǎo)通路徑。
表 5-1 總結(jié)了圖 5-1 中包含的 AEF 電路的突出特性,包括插入損耗表達(dá)式和高衰減電路條件 [4]。YS 和 YL 分別表示 FB-VSCI 設(shè)計(jì)的噪聲源和負(fù)載的導(dǎo)納。
AEF 拓?fù)?/th> | 控制 (FB/FF) | 檢測(cè) (VS/CS) | 注入 (VI/CI) | 插入損耗 (IL) | 高衰減條件 | |
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a | FB-CSVI | 反饋 | 電流 | 電壓 | ||
b | FB-CSCI | 反饋 | 電流 | 電流 | ||
c | FB-VSVI | 反饋 | 電壓 | 電壓 | ||
d | FB-VSCI | 反饋 | 電壓 | 電流 | ||
e | FF-VSVI | 前饋 | 電壓 | 電壓 | ||
f | FF-CSCI | 前饋 | 電流 | 電流 |
IL = iL,w/oAEF / iL,w/AEF 是未安裝和已安裝 AEF 時(shí)的濾波器輸出電流(通常使用 50Ω 源阻抗和負(fù)載阻抗測(cè)得)的商,與可實(shí)現(xiàn)的 EMI 衰減相關(guān)。如表 5-1 所示,每個(gè) AEF 拓?fù)涠夹枰囟ǖ淖杩剐袨閬?lái)實(shí)現(xiàn)高衰減。