ZHCAC52 march 2023 TPSF12C1 , TPSF12C1-Q1 , TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1
9.1 低壓測(cè)試
圖 9-1 所示為單相 AEF 電路的原理圖，其中采用 TPSF12C1-Q1 有源濾波器 IC 實(shí)現(xiàn) CM 噪聲衰減。該設(shè)計(jì)包括穩(wěn)壓器側(cè)和電網(wǎng)側(cè) Y 電容器。LISN 為 EMI 接收器提供了合適的接口來(lái)進(jìn)行 150kHz 至 30MHz 的 EMI 測(cè)量。
圖 9-1 低壓測(cè)試設(shè)置原理圖如圖 9-1 所示，從函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生的方波信號(hào)相當(dāng)于便捷的 CM 噪聲激勵(lì)源，而 1nF 電容器模擬開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的實(shí)際 CM 噪聲源阻抗。通過(guò)調(diào)整源電壓的幅度和轉(zhuǎn)換時(shí)間可設(shè)置在 LISN 上測(cè)得的合理噪聲幅度和頻譜包絡(luò)。
這種支持信號(hào)注入的簡(jiǎn)單低壓測(cè)試有助于在高壓工作環(huán)境下連接到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器之前，安全且方便地對(duì) EMI 測(cè)試室內(nèi)的濾波器進(jìn)行性能鑒定。
圖 9-2 所示為濾波器板的實(shí)現(xiàn)方案。圖 9-6 展示了使用準(zhǔn)峰值 (QP) 和平均 (AV) 噪聲檢測(cè)器并禁用和啟用 AEF 時(shí)的 EMI 結(jié)果。從圖 9-6 中可以明顯看出，AEF 在低頻率范圍（100kHz 至 3MHz）內(nèi)提供高達(dá) 30dB 的 CM 噪聲衰減，因此，使用兩個(gè) 2mH 納米晶扼流圈的濾波器可實(shí)現(xiàn)與使用兩個(gè) 12mH 扼流圈的無(wú)源濾波器設(shè)計(jì)相當(dāng)?shù)?CM 衰減性能。
圖 9-2 使用 AEF 實(shí)現(xiàn)單相濾波器
圖 9-3 禁用和啟用 AEF 時(shí)的 EN 55032 B 類 EMI 結(jié)果