ZHCAC58 November 2022 LMK6C , LMK6D , LMK6H , LMK6P
| 參數(shù) | LMK6C/D/P/H BAW 振蕩器規(guī)格和詳細信息 | 石英晶體振蕩器規(guī)格和詳細信息 | BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢 | 優(yōu)勢 |
|---|---|---|---|---|
| 靈活性 | 一個 BAW 芯片 + 一個基礎(chǔ)芯片 （單 IC 解決方案可支持任何頻率、電壓電源、引腳對引腳兼容） |
頻率限制 | 緩解供應(yīng)限制，單個 IC 即可支持所有頻率 | BAW 振蕩器 |
| 溫度穩(wěn)定性 | ±10ppm （保持溫度范圍外的溫度穩(wěn)定性） |
ppm 穩(wěn)定性隨溫度升高而升高 | 在擴展溫度下具有更高穩(wěn)定性 | BAW 振蕩器 |
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抖動
BW：12kHz 至 20MHz |
最大
125fs（LVDS、LVPECL、HCSL） 最大 500fs (LVCMOS) |
高端性能類似于 BAW | BAW 與石英市場的高端產(chǎn)品很匹配 | 類似 |
| 電源噪聲抗擾度 | -70dBc（50kHz 至 1MHz
頻率范圍內(nèi)在 3.3V 電源上注入 50mV 引起的峰值雜散） （集成式 LDO） |
通常沒有集成式 LDO | 無需外部 LDO 或直流/直流轉(zhuǎn)換器即可優(yōu)化性能 | BAW 振蕩器 |
| 振動 | MIL_STD_883F 方法 2002 條件
A （除了 MIL 標(biāo)準(zhǔn)，BAW 振蕩器的典型振動穩(wěn)定性約為 1ppb/g。這將更大限度地減少振動引起的相位噪聲影響。) |
通常不會通過 MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn)?？沙^ 10ppb/g。 | 更大限度地減少環(huán)境影響 | BAW 振蕩器 |
| 沖擊 | MIL_STD_883F 方法 2007 條件 B（除 MIL 標(biāo)準(zhǔn)外，可承受更高的沖擊水平） |
通常不會通過 MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn)?？赡軙? 2,000g 時失敗。 | 更大限度地減少環(huán)境影響 | BAW 振蕩器 |