2 BAW 技術(shù)概述

TI BAW 諧振器技術(shù)可利用壓電式轉(zhuǎn)換在 2.5GHz 頻率下產(chǎn)生高 Q 值諧振。諧振器是一個(gè)由頂部和底部電極覆蓋的四邊形區(qū)域。交替的高、低噪聲阻抗層會(huì)在諧振體下方形成聲鏡，防止聲能泄漏到基板中。此外，這些聲鏡還放置在諧振器堆疊的頂部，保護(hù)器件免受污染，并更大限度地減少泄漏到封裝材料中的能量。這款獨(dú)特的雙布拉格聲波諧振器 (DBAR) 可實(shí)現(xiàn)高效激勵(lì)，無(wú)需在其周?chē)圃斐杀靖甙旱恼婵涨?。因此，TI BAW 諧振器不受由表面吸附污染物導(dǎo)致的頻率變化的影響，可以直接放置在非密封塑料封裝中，而振蕩器電路則采用標(biāo)準(zhǔn)振蕩器尺寸（3.2mm × 2.5mm 和 2.5mm × 2.0mm）。