ZHCACG5 march 2023 LMG2610 , UCC28782
由于需要高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行以減小系統(tǒng)的尺寸，因此必須特別注意與頻率相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗，如方程式 3 所示。
這里必須注意的是，開(kāi)關(guān)損耗與開(kāi)關(guān)頻率 fsw 成線(xiàn)性正比。必須通過(guò) ZVS 來(lái)降低這些產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。為了實(shí)現(xiàn) ZVS，必須在 Q1 導(dǎo)通之前對(duì)存儲(chǔ)在低側(cè) FET Q1 的器件輸出電容 Cp 中的能量進(jìn)行放電。這是通過(guò)在磁化電感 LM 中建立負(fù)電流 IM? 來(lái)實(shí)現(xiàn)的，在 Q2 關(guān)閉后可立即從 Cp 中獲得該電流。當(dāng) Q1 導(dǎo)通時(shí)，Cp 放電，漏源電壓為零伏，從而實(shí)現(xiàn)零損耗導(dǎo)通轉(zhuǎn)換，如方程式 4 所示。
因此，由于 ZVS 消除了與頻率相關(guān)的導(dǎo)通損耗，因此可以更自由地增大開(kāi)關(guān)頻率，從而實(shí)現(xiàn)減小設(shè)計(jì)尺寸的目標(biāo)。