ZHCACG5 march 2023 LMG2610 , UCC28782
2 GaN 價值簡介
考慮到最后兩個設(shè)計要求，GaN 技術(shù)可用于解決在管理熱性能和高頻切換時遇到的挑戰(zhàn)。這是通過 GaN 相對于硅擁有的三個主要優(yōu)勢實現(xiàn)的：給定電阻下的電容更小、開關(guān)速度更快（不要與開關(guān)頻率混淆），以及因沒有體二極管而實現(xiàn)零反向恢復(fù)損耗。
集成 GaN 器件在低柵極電容和柵極電荷（1nC-Ω 對比 Si 4nC-Ω）下的開關(guān)速度更快。通過低輸出電容和輸出電荷（5nC-Ω 與 Si 25nC-Ω）降低開關(guān)損耗，并在沒有體二極管的情況下消除反向恢復(fù)損耗
圖 2-1 顯示 Cg、Qg、Coss、Qoss、無體二極管的高級 GaN 結(jié)構(gòu)