ZHCADS2 January 2024 BQ25700A , BQ25708 , BQ25710 , BQ25713 , BQ25720 , BQ25723 , BQ25730 , BQ25731
2.2 確定關(guān)鍵電路路徑
成功布局的關(guān)鍵是了解電路，您可以通過(guò)確定以下關(guān)鍵元件來(lái)了解電路：
- 高 di/dt 路徑
- 高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)
- 敏感布線
圖 2-3 展示了 BQ25710 應(yīng)用示意圖中的高 di/dt 路徑。最主要的高 di/dt 環(huán)路是輸入開(kāi)關(guān)電流環(huán)路和輸出開(kāi)關(guān)電流環(huán)路。輸入環(huán)路由一個(gè)輸入電容器和兩個(gè) MOSFET（Q1 和 Q2）組成，輸出環(huán)路由一個(gè)輸出電容器和兩個(gè) MOSFET（Q3 和 Q4）以及返回路徑組成。
圖 2-3 BQ25710 應(yīng)用示意圖 - 確定高 di/dt 環(huán)路、高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)和敏感布線高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)是那些具有快速電壓轉(zhuǎn)換的節(jié)點(diǎn)。這些節(jié)點(diǎn)包括開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（SW1 和 SW2）、自舉節(jié)點(diǎn)（BTST1 和 BTST2）以及柵極驅(qū)動(dòng)布線（HIDRV1、LODRV1、HIDRV2 和 LODRV2）。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的面積需要盡可能大，但考慮到電氣噪聲原因，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)面積又需要盡可能小。如果 SW1 和 SW2 覆銅區(qū)過(guò)大，高 dv/dt 噪聲信號(hào)可能會(huì)通過(guò)電容耦合特性耦合到附近的其他布線，從而引起 EMI 問(wèn)題。
從 RAC、RSR 到 IC 引腳（ACP、ACN、SRP 和 SRN）以及補(bǔ)償元件（COMP1 和 COMP2）的電流檢測(cè)布線是噪聲敏感布線。為了獲得良好的布局性能，應(yīng)優(yōu)化高 dv/dt 節(jié)點(diǎn)的表面積，使噪聲敏感布線遠(yuǎn)離電路的嘈雜（高 di/dt 和 dv/dt）部分，并盡可能減小其環(huán)路面積。