確定布局的關(guān)鍵部分后，下一項(xiàng)任務(wù)是盡可能地減少任何噪聲源和不必要的寄生。輸入開關(guān)電流環(huán)路和輸出開關(guān)電流環(huán)路是主要的高電流環(huán)路。盡可能地減小這些環(huán)路的面積，以抑制產(chǎn)生的開關(guān)噪聲并優(yōu)化開關(guān)性能。因此，強(qiáng)烈建議將功率元件放置在同一層。此外，還要留出足夠的銅面積來散熱。多個(gè)散熱過孔可用于將更多銅層連接在一起并散發(fā)更多熱量。圖 2-4 展示了頂層的功率元件放置，這是 BQ25710 EVM 的一個(gè)典型示例，與圖 1-1 中所示的原理圖匹配。

圖 2-4 頂層的功率元件放置

VBUS 電容器、R_AC、Q1 和 Q2 構(gòu)成一個(gè)小環(huán)路 1。VSYS 電容器 Q3 和 Q4 構(gòu)成一個(gè)小環(huán)路 2。如圖 2-1 所示，要在環(huán)路 1 和環(huán)路 2 上盡可能縮小的重要環(huán)路區(qū)域是以下兩個(gè)路徑：一個(gè)路徑從輸入電容器到降壓高側(cè)和低側(cè) MOSFET，再返回到輸入電容器的接地連接；另一個(gè)路徑從輸出電容器到升壓高側(cè)和低側(cè) MOSFET，再返回到輸出電容器的接地連接。將電容器的負(fù)極端子連接到低側(cè) MOSFET（接地端）的源極附近。同樣，將一個(gè)或多個(gè)電容器的正極端子連接到兩個(gè)環(huán)路高側(cè) MOSFET 的漏極附近。需要特別注意，必須將 10nF + 1nF（0402 尺寸）去耦電容器放置在 R_AC 后，并盡可能靠近 FET，以便對(duì)開關(guān)環(huán)路高頻噪聲去耦。

使用大面積的銅連接功率元件可減少寄生電阻。由于從 VBUS 到 VSYS 和 VBAT 到 VSYS 的電流路徑阻抗較低，請(qǐng)注意不在同一層時(shí)的過孔電阻。對(duì)于 1oz 銅厚度的 10mil 過孔，過孔數(shù)量可估算出每個(gè)過孔 1A 至 2A。如果需要高密度設(shè)計(jì)，您可以將 CBUS 或 CSYS 的一部分移至 PCB 的另一側(cè)。最后，我們建議將 QBAT 和 R_SR 放置在電池端子附近，因?yàn)樵撈骷?huì)通過電池端子附近的 SRN 引腳檢測電池電壓。