圖 3-3 中突出顯示的元件是降低器件給定引腳上的 DM 噪聲所必需的。鐵氧體磁珠 L1、L2、L4 和 L5 用于在系統(tǒng)布線和器件之間創(chuàng)建高阻抗路徑，從而減少來自這些布線的噪聲。對(duì)于確實(shí)到達(dá) TMCS112x/3x 局部區(qū)域的部分，電容器 C3、C4 和 C7 構(gòu)成低通濾波器，這些元件用于在到達(dá)器件之前分流噪聲。

請(qǐng)注意，TMCS112x/3x 數(shù)據(jù)表中分別有關(guān)于 4.7nF 和 20nF 的 VOUT 和 VREF 引腳可支持的電容大小限制，這些限制必須遵守。電阻器 R1 用作可選的隔離電阻器，以增強(qiáng)輸出引腳的輸出阻抗，從而允許使用大于 4.7nF 的電容（默認(rèn)情況下將其設(shè)置為 0Ω，以簡(jiǎn)單地從器件傳遞 VOUT 信號(hào)）。當(dāng)組裝非零值的 R1 時(shí)必須小心，因?yàn)檫@會(huì)根據(jù)器件的輸出形成一個(gè)低通濾波器，并可能減小器件帶寬。濾波器設(shè)計(jì)也可能會(huì)受到影響，并且需要對(duì)此元件進(jìn)行建模（如果使用）。

由于諧振原因，放置了電阻器 R2。例如，假設(shè)在系統(tǒng)中以 2.62MHz 的頻率識(shí)別噪聲特征。在該給定頻率下，所做的測(cè)量表明 TMCS112x/3x 的輸出引腳上存在高達(dá) 1Vpp 的噪聲，設(shè)計(jì)目標(biāo)是將此噪聲降低到 200mVpp 以下。如果以 dB 為單位，這相當(dāng)于 14dB 的衰減，如方程式 1 所示。

表 3-1 對(duì)這些值進(jìn)行了匯總。

有幾種工具可幫助實(shí)現(xiàn)這類設(shè)計(jì)，如 Murata 的 Sim-Surfing 濾波器設(shè)計(jì)工具套件。選擇 3.3nF 電容器以確保滿足數(shù)據(jù)表中 V_OUT 引腳的限制，然后確定合適的鐵氧體。選擇元件后，執(zhí)行仿真，如圖 3-4 和圖 3-5 所示。雖然鐵氧體和電容器會(huì)產(chǎn)生所需的 -40dB/十倍頻程衰減，但可以觀察到這些元件之間形成了諧振，并在 1.24MHz 處形成了接近 40 倍的增益。共振會(huì)導(dǎo)致無法在 2.62MHz 處獲得所需的衰減。

然后將電阻器 R2 放置在系統(tǒng)中。該電阻器用于抑制這些組件之間的諧振。圖 3-6 和圖 3-7 顯示了組裝電阻器后的重新運(yùn)行仿真。觀察結(jié)果是，放置電阻器可消除響應(yīng)中的諧振峰值，并且還會(huì)將衰減校正到可接受的限值。40dB 衰減還移除了響應(yīng)輸出中約 150Mhz 的額外高頻成分。