ZHCAFB4 April 2025 TPSI3100 , TPSI3100-Q1
DESAT 保護(hù)電路通常使用 IGBT 進(jìn)行配置，因?yàn)?IGBT 在飽和區(qū)的電流 (IC) 上表現(xiàn)出不同的電壓 (VCE )，這使得檢測更容易，更快速地轉(zhuǎn)換到有源區(qū)，并且由于芯片尺寸較大，通常能夠處理更大的功率（許多都具有耐短路額定值）。
DESAT 還可以用于 SiC MOSFET。低壓 MOSFET 的問題是：由于過流閾值的設(shè)置通常遠(yuǎn)高于正常運(yùn)行水平以避免誤報，因此低壓 MOSFET 可能會因電路甚至還未檢測到過流事件就因過熱而損壞。
通過實(shí)施 DESAT 保護(hù)，工程師可以確保功率半導(dǎo)體保持在安全的工作范圍內(nèi)。