1 為何需要 DESAT 保護(hù)

MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體在完全飽和狀態(tài)下可實(shí)現(xiàn)理想工作狀態(tài)：MOSFET 的歐姆區(qū)域和 IGBT 的飽和區(qū)域。MOSFET 的 V_DS 或 IGBT 的 V _CE 兩端的電壓保持低電平，以最大限度地降低功率耗散。但是，當(dāng)這些器件進(jìn)入如 圖 1-1 所示的過飽和狀態(tài)時(shí)，電流的小幅增加會(huì)導(dǎo)致電壓大幅增加，從而導(dǎo)致過度功耗和潛在的損壞。

一些隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器包括退飽和 (DESAT) 保護(hù)功能，可監(jiān)控 V_DS 或 V_CE 并在過流事件期間快速關(guān)斷半導(dǎo)體。TPSI31xx 是一系列完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí)，可構(gòu)成完整的隔離式固態(tài)繼電器。

TPSI3133（如 圖 1-2 所示）是專門用于 DESAT 的型號(hào)，因?yàn)樗诠收媳容^器輸入端具有內(nèi)部下拉 MOSFET。內(nèi)部 MOSFET 通過下拉故障比較器輸入并在 EN 變?yōu)楦唠娖胶罄^續(xù)下拉 100ns 來防止在 IGBT/SiC MOSFET 關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)誤報(bào)，從而使 IGBT/SiC MOSFET 能夠完全導(dǎo)通。