選擇適當(dāng)?shù)碾娮柚悼纱_保阻斷二極管在 IGBT 導(dǎo)通時(shí)變?yōu)檎蚱?，從而進(jìn)行適當(dāng)?shù)碾妷簷z測(cè)。

1. 檢測(cè)電壓的條件，允許阻斷二極管在 IGBT 導(dǎo)通時(shí)變?yōu)檎蚱茫?div id="btf1zhxxf73" class="equation" id="GUID-B17567E4-15F6-4EDA-8396-1C9B5B55EEC1">方程式 1. $\left(V_{CE\left(DESAT\right)}+V_{F\left(DIODE\right)}\right)<\frac{{R_{DIV1}+R}_{DIV2}}{R_{DIV2}+R_{DIV1}+R_{LIM}}\times VDDH$