ZHCUB39A May 2023 – December 2023 DRV8328
4.4.4 電流開(kāi)環(huán)負(fù)載測(cè)試
圖 4-9 至圖 4-12 顯示了 18V 直流輸入和 10ARMS、33A 繞組電流時(shí)的電機(jī)繞組電流和繞組電壓波形，以及相同條件下的熱圖像。在 15% 占空比下進(jìn)行測(cè)試。
可以觀察到大電流流經(jīng)器件時(shí)的電流波形和熱行為。在 18V、4A 至 5.5A 條件下，輸入功率為 72W 至 100W。
- CH1（藍(lán)色）：U 相電壓
- CH4（綠色）：U 相電流
在提供的測(cè)試條件下，使用 10ARMS 電流時(shí)，MOSFET 的最高溫度為 49.3°C。
圖 4-9 18V 直流輸入、10ARMS 繞組電流、15% 占空比
圖 4-10 10ARMS 繞組電流、15% 占空比時(shí)的熱圖像在給定的測(cè)試條件下，使用 33ARMS 電流時(shí)，MOSFET 的最高溫度為 97.1°C。
圖 4-11 18V 直流輸入、33ARMS 繞組電流、15% 占空比
圖 4-12 33ARMS 繞組電流、15% 占空比時(shí)的熱圖像圖 4-13 展示了采用測(cè)力計(jì)的負(fù)載測(cè)試設(shè)置。
圖 4-13 負(fù)載測(cè)試設(shè)置