ZHCUB39A May 2023 – December 2023 DRV8328
該三相逆變器由六個 CSD18510Q5B 功率 MOSFET 實現(xiàn)，如圖 3-1 所示。MOSFET 的額定最大漏源電壓為 40V，峰值電流為 400A。該設(shè)計可以在所有 FET 上使用 RC 緩沖器。由于二極管反向恢復(fù)，預(yù)計 FET 上的電壓振鈴將達到最大。借助雙極控制，未必需要在所有 FET 上使用緩沖器，具體是否需要取決于電流方向、PWM 策略和二極管反向恢復(fù)。
選擇的緩沖電容器大約是 FET 輸出電容的幾倍，本設(shè)計中為 832pF。在電路板測試期間調(diào)整緩沖電阻器值，以充分抑制開關(guān)期間的 VDS 開關(guān)過沖振鈴。C30、C31 和 C32 是 VDC 輸入端和各分支底部 FET 的源極端子之間的去耦電容器。該去耦電容器可減少電源線路中由檢測電阻和電源軌所增加的寄生電感引起的振鈴。該設(shè)計還在每個 FET 的柵源極之間具有可選的外部電容，以減少開關(guān)期間的柵極拾取或柵極振鈴。