對可聞噪聲的影響

在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，導(dǎo)致可聞噪聲的主要來源之一是電流失真引起的扭矩紋波。對于電機(jī)，電流失真取決于多個因素，包括 PWM 頻率、死區(qū)時間和電流檢測精度。

與基于 IGBT 或 MOSFET 的解決方案相比，DRV7308 可顯著降低開關(guān)損耗，并實(shí)現(xiàn)更高的 PWM 頻率。在較高的開關(guān)頻率下，較低的繞組電流紋波可實(shí)現(xiàn)較低的扭矩紋波，超出了可聞頻率范圍。

在基于 IGBT 和 MOSFET 的系統(tǒng)中，死區(qū)時間為 1μs 到 2μs 或更長，導(dǎo)致相當(dāng)高的電機(jī)電流失真。死區(qū)時間失真以每 60 度電角出現(xiàn)一次，并導(dǎo)致電流波形上的第六次諧波，這通常位于可聞頻率范圍內(nèi)。DRV7308 的自適應(yīng)死區(qū)時間邏輯可實(shí)現(xiàn)短于 200ns 的死區(qū)時間，從而實(shí)現(xiàn)超低的電流失真，進(jìn)而降低可聞噪聲。

圖 3 比較了在死區(qū)時間為 0.2μs 的情況下測試 DRV7308 時的電機(jī)繞組電流總諧波失真 (THD)，以及在死區(qū)時間為 2.5μs 的情況下測試 IGBT IPM 時的電機(jī)繞組電流總諧波失真。與 IGBT IPM 相比，DRV7308 失真非常低。由于低占空比或低逆變器調(diào)制指數(shù)，死區(qū)時間的影響更大，因此在輸送功率較低時，IGBT IPM 的這種失真將呈指數(shù)級升高。