在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中使用 GaN 時(shí)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

設(shè)計(jì)人員通常必須考慮 dv/dt 對(duì)電機(jī)絕緣、軸承壽命、電磁干擾 (EMI) 和可靠性的影響。

DRV7308 包含一個(gè)集成前置驅(qū)動(dòng)器壓擺率控制電路，此電路控制相位節(jié)點(diǎn)上的 dv/dt?？梢詫簲[率設(shè)置控制在 5V/ns 以下，并在電機(jī)繞組絕緣和開關(guān)損耗優(yōu)化之間權(quán)衡配置壓擺率。DRV7308 的較低壓擺率設(shè)置涵蓋了現(xiàn)有 IGBT 提供的范圍，而較高的壓擺率有助于將開關(guān)損耗保持在低得多的值。

圖 4 和圖 5 展示了 DRV7308 在 1A 負(fù)載、300V、10V/ns 壓擺率設(shè)置和 2m 電機(jī)電纜條件下的相位節(jié)點(diǎn)開關(guān)電壓。具有較低寄生效應(yīng)的 GaN FET 零反向恢復(fù)和前置驅(qū)動(dòng)器壓擺率控制有助于實(shí)現(xiàn)干凈的電壓開關(guān)波形。