傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射的注意事項(xiàng)

傳導(dǎo)和輻射發(fā)射取決于開(kāi)關(guān)頻率、dv/dt、di/dt、開(kāi)關(guān)電壓振蕩和反射以及開(kāi)關(guān)電流環(huán)路面積。

DRV7308 整合了多種設(shè)計(jì)技術(shù)和印刷電路板 (PCB) 布局選項(xiàng)，以解決 EMI 和電磁兼容性問(wèn)題：

• PWM 開(kāi)關(guān)頻率。開(kāi)關(guān)頻率越高，對(duì) EMI 頻譜的影響越大。較高的開(kāi)關(guān)頻率有助于降低電流紋波和電容器要求，從而滿足傳導(dǎo)發(fā)射要求。DRV7308 提供寬范圍開(kāi)關(guān)頻率，從極低值到高達(dá) 60kHz。設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)系統(tǒng)性能和 EMI 要求選擇合適的頻率。
• dv/dt。DRV7308 前置驅(qū)動(dòng)器能夠控制相位節(jié)點(diǎn)開(kāi)關(guān)壓擺率，以滿足 EMI 要求。
• di/dt。由于 GaN 具有零反向恢復(fù)和低寄生效應(yīng)，可以提供更好的開(kāi)關(guān)性能，而不會(huì)在開(kāi)關(guān)期間在相位節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生電壓過(guò)沖和振蕩。圖 4 和圖 5 顯示了 DRV7308 的干凈開(kāi)關(guān)，這意味著 EMI 更低。
• 較小的開(kāi)關(guān)電流環(huán)路面積。本地去耦電容器將在開(kāi)關(guān)期間提供脈沖電流。DRV7308 的設(shè)計(jì)使得到直流電壓去耦電容器 (C_VM) 的開(kāi)關(guān)電流環(huán)路面積非常小，如圖 8 中所示。