ZHCSV46J July 2007 – June 2025 CDCE925 , CDCEL925
PRODUCTION DATA
當(dāng) CDCEx937 用作晶體緩沖器時,晶體上的任何寄生效應(yīng)都會影響 VCXO 的牽引范圍。因此,在電路板上放置晶體單元時要小心。晶體必須盡可能靠近器件放置,確保從晶體終端到 XIN 和 XOUT 的走線具有相同的長度。
如果可能,請去除晶體及器件走線放置區(qū)域下方的接地平面和電源平面。始終避免在該區(qū)域內(nèi)布置任何其他信號線,因為它可能成為噪聲耦合源。
為了滿足某些晶體的負(fù)載電容規(guī)格,可能需要額外的分立式電容器。例如,10.7pF 負(fù)載電容器無法完全通過芯片編程實現(xiàn),因為內(nèi)部電容器的范圍可能是 0pF 至 20pF、步長為 1pF。此時可在內(nèi)部 10pF 電容器的基礎(chǔ)上外接 0.7pF 分立式電容器。
為最小化走線的電感影響,TI 建議將這個小電容器緊靠器件放置,并相對于 XIN/XOUT 對稱布局。
圖 7-2 展示了一種基于 CDCEx937 的概念布局,其中詳細(xì)說明了電源旁路電容器的建議放置方式。如果安裝在元件側(cè),請使用 0402 本體尺寸的電容器以方便信號布線。使旁路電容器與器件電源之間的連接盡可能短。使用與接地平面的低阻抗連接使電容器的另一側(cè)接地。